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1. WO2020209107 - 固体撮像装置

公開番号 WO/2020/209107
公開日 15.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/014170
国際出願日 27.03.2020
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
H04N 9/07 2006.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
9カラーテレビジョン方式の細部
04画像信号発生装置
071つの撮像装置のみを有するもの
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 大谷 奈津子 OOTANI Natsuko
  • 伊藤 幹記 ITO Mikinori
  • 田中 隆 TANAKA Takashi
  • 阿部 ますみ ABE Masumi
  • 島田 翔平 SHIMADA Shohei
代理人
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
優先権情報
2019-07630612.04.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF IMAGEUR À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置
要約
(EN)
The present technology relates to a solid-state imaging device which allows for an improvement in sensitivity while suppressing a worsening of color mixing. The present invention comprises: a substrate; a plurality of photoelectric conversion regions provided on the substrate; trenches that are provided between the photoelectric conversion regions and are provided so as to penetrate through the substrate; and a recessed region having a plurality of recesses provided above the photoelectric conversion regions, on the light receiving surface-side of the substrate. The substrate is composed of a group III-V semiconductor or polycrystalline SiXGe (1-x) (x = 0 to 1). A recessed region is additionally provided below the photoelectric conversion regions, on the substrate surface that is opposite the substrate light-receiving surface. The present technology can be applied to a backside illumination-type solid-state imaging device, and the like.
(FR)
La présente technologie se rapporte à un dispositif imageur à semi-conducteurs qui permet une amélioration de sensibilité tout en supprimant une dégradation du mélange de couleurs. La présente invention comprend : un substrat ; une pluralité de zones de conversion photoélectrique disposées sur le substrat ; des tranchées qui sont disposées entre les zones de conversion photoélectrique et qui sont disposées de manière à pénétrer à travers le substrat ; et une zone évidée ayant une pluralité d’évidements disposés au-dessus des zones de conversion photoélectrique, sur le côté de surface réceptrice de lumière du substrat. Le substrat est composé d’un semi-conducteur du groupe III-V ou de SiXGe polycristallin (1 − x) (x = 0 à 1). Une zone évidée est par ailleurs disposée sous les zones de conversion photoélectrique, sur la surface du substrat qui est opposée à la surface réceptrice de lumière du substrat. La présente technologie peut être appliquée à un dispositif imageur à semi-conducteurs de type à éclairage arrière, et similaire.
(JA)
本技術は、混色悪化を抑制しつつ、感度を向上させることができるようにする固体撮像装置に関する。 基板と、基板に設けられた複数の光電変換領域と、光電変換領域間に設けられ、基板を貫通して設けられたトレンチと、光電変換領域の上方で、基板の受光面側に設けられた複数の凹部を有する凹部領域とを備え、基板は、III-V族半導体または多結晶SiXGe(1-x)(x=0~1)により構成されている。凹部領域は、光電変換領域の下方で、基板の受光面と対向する面側にも設けられている。本技術は、例えば、裏面照射型の固体撮像装置等に適用できる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報