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1. WO2020204019 - ショットキーダイオード

公開番号 WO/2020/204019
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/014723
国際出願日 31.03.2020
IPC
H01L 29/47 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
40電極
43構成材料に特徴のあるもの
47ショットキー障壁電極
H01L 29/872 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
86整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861ダイオード
872ショットキーダイオード
H01L 29/861 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
86整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861ダイオード
H01L 29/868 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
86整流,増幅,発振またはスイッチされる電流を流す1つ以上の電極に電流または電圧のみの変化のみを与えることにより制御可能なもの
861ダイオード
868PINダイオード
出願人
  • 株式会社タムラ製作所 TAMURA CORPORATION [JP]/[JP]
  • 株式会社ノベルクリスタルテクノロジー NOVEL CRYSTAL TECHNOLOGY, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 佐々木 公平 SASAKI, Kohei
共通の代表者
  • 株式会社タムラ製作所 TAMURA CORPORATION
優先権情報
2019-07126103.04.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SCHOTTKY DIODE
(FR) DIODE SCHOTTKY
(JA) ショットキーダイオード
要約
(EN)
Provided is a Ga2O3-based Schottky diode which has a high breakdown voltage and low loss and is highly resistant to surge current. An embodiment provides a Schottky diode 1 composed of a Ga2O3-based single crystal and comprising: an n-type semiconductor layer 11 having a plurality of trenches 12 opening on one side; an anode electrode 13 connected to mesa-shaped regions between adjacent trenches 12 of the n-type semiconductor layer 11; an anode electrode 16 embedded in each of the plurality of trenches 12 in a state of being coated with a trench insulating film 15; a cathode electrode 14 connected directly or indirectly to the side of the n-type semiconductor layer 11 opposite to the anode electrode 13; and a p-type semiconductor member 17 connected to a part of the mesa-shaped regions and to the anode electrode 13.
(FR)
L'invention concerne une diode Schottky à base de Ga2O3 qui présente une tension de claquage élevée et une faible perte et qui est hautement résistante au courant de surtension. Un mode de réalisation de la présente invention concerne une diode Schottky (1) qui est composée d'un monocristal de Ga2O3 et qui comprend : une couche de semi-conducteur de type n (11) ayant une pluralité de tranchées (12) s'ouvrant sur un côté; une électrode d'anode (13) connectée à des régions en forme de mésa entre des tranchées adjacentes (12) de la couche de semi-conducteur de type n (11); une électrode d'anode (16) incorporée dans chacune de la pluralité de tranchées (12) dans un état d'enrobage avec un film d'isolation de tranchée (15); une électrode de cathode (14) connectée directement ou indirectement au côté de la couche semi-conductrice de type n (11) à l'opposé de l'électrode d'anode (13); et un élément semi-conducteur de type p (17) connecté à une partie des régions en forme de mésa et à l'électrode d'anode (13).
(JA)
高耐圧かつ低損失であり、かつサージ電流への耐性に優れたGa系のショットキーダイオードを提供する。 一実施の形態として、Ga系単結晶からなり、一方の面に開口する複数のトレンチ12を有するn型半導体層11と、n型半導体層11の隣接するトレンチ12の間のメサ形状領域に接続されたアノード電極13と、トレンチ絶縁膜15に覆われた状態で複数のトレンチ12のそれぞれに埋め込まれたアノード電極16と、n型半導体層11のアノード電極13と反対側に直接又は間接的に接続されたカソード電極14と、前記メサ形状領域の一部及び前記アノード電極13に接続されたp型半導体部材17と、を備えた、ショットキーダイオード1を提供する。
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