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1. WO2020204006 - 結晶、結晶性酸化物半導体、結晶性酸化物半導体を含む半導体膜、結晶および/または半導体膜を含む半導体装置および半導体装置を含むシステム

公開番号 WO/2020/204006
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/014693
国際出願日 30.03.2020
IPC
C01G 45/00 2006.01
C化学;冶金
01無機化学
GサブクラスC01DまたはC01Fに包含されない金属を含有する化合物
45マンガン化合物
H01C 7/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
C抵抗器
71以上の層または被覆状に形成された非可調整抵抗器;粉末絶縁材料を含むかまたは含まない粉末導電材料または粉末半導体材料で形成された非可調整抵抗器
04負温度係数をもつもの
C23C 16/40 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
40酸化物
出願人
  • 株式会社FLOSFIA FLOSFIA INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 松田 時宜 MATSUDA Tokiyoshi
  • 佐々木 貴博 SASAKI Takahiro
  • 人羅 俊実 HITORA Toshimi
  • ▲高▼橋 勲 TAKAHASHI Isao
優先権情報
2019-06848029.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CRYSTALS, CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR FILM CONTAINING CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE CONTAINING CRYSTALS AND/OR SEMICONDUCTOR FILM, AND SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CRISTAUX, SEMICONDUCTEUR À OXYDE CRISTALLIN, FILM SEMICONDUCTEUR CONTENANT UN SEMICONDUCTEUR À OXYDE CRISTALLIN, DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR CONTENANT DES CRISTAUX ET/OU UN FILM SEMICONDUCTEUR, ET SYSTÈME COMPRENANT UN DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR
(JA) 結晶、結晶性酸化物半導体、結晶性酸化物半導体を含む半導体膜、結晶および/または半導体膜を含む半導体装置および半導体装置を含むシステム
要約
(EN)
One embodiment of this invention is crystals containing a metal oxide that contains Ga and Mn and has a corundum structure.
(FR)
Un mode de réalisation de la présente invention concerne des cristaux contenant un oxyde métallique qui contient du Ga et du Mn et possède une structure de corindon.
(JA)
実施態様の一つとして、GaとMnとを含み、コランダム構造を有する金属酸化物を含む結晶。
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