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1. WO2020203790 - フォトレジスト組成物およびその硬化物

公開番号 WO/2020/203790
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/014076
国際出願日 27.03.2020
IPC
G03F 7/027 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
027炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
G03F 7/037 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
027炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
032結合剤をもつもの
037結合剤がポリアミド又はポリイミドであるもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/26 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
G03F 7/40 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
40画像様除去後の処理,例.加熱
出願人
  • 太陽インキ製造株式会社 TAIYO INK MFG. CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 柴田 大介 SHIBATA Daisuke
  • 荒井 康昭 ARAI Yasuaki
  • 佐藤 和也 SATO Kazuya
  • 韋 瀟竹 WEI Xiaozhu
代理人
  • 中村 行孝 NAKAMURA Yukitaka
  • 朝倉 悟 ASAKURA Satoru
  • 浅野 真理 ASANO Makoto
  • 小島 一真 KOJIMA Kazumasa
  • 末盛 崇明 SUEMORI Takaaki
優先権情報
2019-06904429.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTORESIST COMPOSITION AND CURED PRODUCT OF SAME
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE ET SON PRODUIT DURCI
(JA) フォトレジスト組成物およびその硬化物
要約
(EN)
[Problem] To provide a photoresist composition which enables development with use of a weak alkaline developer liquid and achievement of fine patterning with high resolution, while having excellent releasability. [Solution] A photoresist composition which contains (A) a carboxyl group-containing resin, (B) a photopolymerizable monomer and (C) a thermosetting component, and which is characterized in that if the photoresist composition is applied onto a flat substrate so that the film thickness of the photoresist composition after curing is 2 μm ± 0.5 μm, and is subsequently cured, after 30-minute prebaking at 75°C, by being exposed to ultraviolet light 1 including the wavelength of 375 nm in the ambient atmosphere with the amount of exposure light of 1,000 mJ/cm2, and Ra1 is the arithmetic mean roughness Ra of the surface of a cured coating film 1 that is formed by subsequent 180-second development at 30°C with use of a 1 wt% aqueous Na2CO3 solution, while Ra2 is the arithmetic mean roughness Ra of the surface of a cured coating film 2 that is formed by exposing the cured coating film 1 to ultraviolet light 2 including the wavelength of 185 nm and the wavelength of 254 nm in an oxygen atmosphere with the amount of exposure light of 25.2 mJ/cm2, Ra1 and Ra2 satisfy the formula Ra2/Ra1 ≤ 4.5 × 10-1.
(FR)
Le problème décrit par la présente invention est de fournir une composition de résine photosensible qui permet le développement avec un liquide révélateur faiblement alcalin et la réalisation d'une formation de motif fine et à haute résolution, et ce tout en ayant une excellente aptitude au décollement. Selon l'invention, la solution porte sur une composition de résine photosensible qui contient (A) une résine contenant un groupe carboxyle, (B) un monomère photopolymérisable et (C) un composant thermodurcissable, et qui est caractérisée en ce que si la composition de résine photosensible est appliquée sur un substrat plat de telle sorte que l'épaisseur de film de la composition de résine photosensible après avoir été durcie est de 2 µm ± 0,5 µm, et qu'elle est ensuite durcie, après une précuisson de 30 minutes à 75 °C, en étant exposée à une lumière ultraviolette 1 comprenant une longueur d'onde de 375 nm dans l'atmosphère ambiante avec une quantité de lumière d'exposition de 1 000 mJ/cm2, et Ra1 représente la rugosité moyenne arithmétique Ra de la surface d'un film de revêtement durci 1 qui est formé par un développement ultérieur d'une durée de 180 secondes à 30 °C à l'aide d'une solution aqueuse de Na2CO3 de 1 % en poids, tandis que Ra2 représente la rugosité moyenne arithmétique Ra de la surface d'un film de revêtement durci 2 qui est formé par l'exposition du film de revêtement durci 1 à une lumière ultraviolette 2 comprenant une longueur d'onde de 185 nm et une longueur d'onde de 254 nm dans une atmosphère d'oxygène et avec une quantité de lumière d'exposition de 25,2 mJ/cm2, Ra1 et Ra2 satisfont la formule Ra2/Ra1 ≤ 4,5 × 10-1.
(JA)
[課題]弱アルカリ現像液でも現像が可能で、高解像の微細パターニングが得られ、かつ剥離性にも優れるフォトレジスト組成物を提供する。 [解決手段](A)カルボキシル基含有樹脂、(B)光重合性モノマー、および(C)熱硬化性成分を含んでなる、フォトレジスト組成物であって、平面基板上に前記フォトレジスト組成物を、硬化後の膜厚が2μm±0.5μmとなるように塗布し、75℃で30分間のプリベーク後に、波長375nmを含む紫外線1を大気雰囲気下で1,000mJ/cmの露光量で露光して前記フォトレジスト組成物を硬化させ、続く30℃で1wt%のNaCO水溶液を用いた180秒間の現像処理により形成した硬化被膜1の表面の算術平均粗さRaをRa1とし、前記硬化被膜1に対してさらに、波長185nmおよび254nmを含む紫外線2を酸素雰囲気下で25.2J/cmの露光量で露光して形成した硬化被膜2の表面の算術平均粗さRaをRa2とした場合に、式:Ra2/Ra1≦4.5×10-1を満たすことを特徴とする。
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