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1. WO2020203621 - 処理液、パターン形成方法

公開番号 WO/2020/203621
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/013590
国際出願日 26.03.2020
IPC
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/32 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
30液体手段を用いる画像様除去
32そのための液体組成物,例.現像剤
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 高橋 智美 TAKAHASHI Satomi
  • 清水 哲也 SHIMIZU Tetsuya
  • 土橋 徹 TSUCHIHASHI Toru
代理人
  • 伊東 秀明 ITOH Hideaki
  • 三橋 史生 MITSUHASHI Fumio
優先権情報
2019-06844929.03.2019JP
2020-05234624.03.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) TREATMENT LIQUID, PATTERN FORMING METHOD
(FR) LIQUIDE DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF
(JA) 処理液、パターン形成方法
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing a treatment liquid for patterning a resist film and a pattern forming method which are capable of suppressing both the occurrence of pattern collapse and film loss in an exposed portion. A treatment liquid for patterning a resist film according to the present invention is used for performing at least one among development and washing on a resist film obtained from an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, and includes an organic solvent, the treatment liquid comprising a first organic solvent satisfying a predetermined condition and a second organic solvent satisfying a predetermined condition.
(FR)
La présente invention aborde le problème consistant à fournir un liquide de traitement pour former un motif sur un film de réserve et un procédé de formation de motif qui sont capables de supprimer à la fois l'effondrement de motif et la perte de film dans une partie exposée. Selon la présente invention, un liquide de traitement servant à former des motifs sur un film de réserve est utilisé pour effectuer au moins un développement ou un lavage sur un film de réserve obtenu à partir d'une composition sensible aux rayons actiniques ou au rayonnement, et il comprend un solvant organique, le liquide de traitement comprenant un premier solvant organique satisfaisant une condition prédéterminée et un second solvant organique satisfaisant une condition prédéterminée.
(JA)
本発明の課題は、パターン倒れと露光部の膜減りの発生を同時に抑制できるレジスト膜パターニング用の処理液及びパターン形成方法を提供することである。 本発明の処理液は、感活性光線又は感放射線性組成物から得られるレジスト膜に対して現像及び洗浄の少なくとも一方を行うために使用され、有機溶剤を含むレジスト膜パターニング用の処理液であって、所定条件を満たす第一の有機溶剤と、所定条件を満たす第二の有機溶剤とを含む。
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