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1. WO2020203517 - 大口径半導体基板に適用可能な半導体基板の製造装置

公開番号 WO/2020/203517
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/013203
国際出願日 25.03.2020
IPC
C30B 33/02 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
33単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理
02熱処理
H01L 21/324 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
出願人
  • 学校法人関西学院 KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION [JP]/[JP]
  • 豊田通商株式会社 TOYOTA TSUSHO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 金子 忠昭 KANEKO, Tadaaki
代理人
  • 辻田 朋子 TSUJITA, Tomoko
優先権情報
2019-06927929.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING DEVICE APPLICABLE TO LARGE-DIAMETER SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR APPLICABLE À UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR DE GRAND DIAMÈTRE
(JA) 大口径半導体基板に適用可能な半導体基板の製造装置
要約
(EN)
Provided is a semiconductor substrate manufacturing device which is capable of uniformly heating the surface of a semiconductor substrate that has a relatively large diameter or major axis. The semiconductor substrate manufacturing device includes a container body for accommodating a semiconductor substrate and a heating furnace that has a heating chamber which accommodates the container body, and the heating furnace has a heating source in a direction intersecting the semiconductor substrate to be disposed inside the heating chamber.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de fabrication de substrat semi-conducteur qui est susceptible de chauffer uniformément la surface d'un substrat semi-conducteur qui a un diamètre ou un axe majeur relativement grand. Le dispositif de fabrication de substrat semi-conducteur comprend un corps de récipient pour recevoir un substrat semi-conducteur et un four de chauffage qui a une chambre de chauffage qui loge le corps de récipient et le four de chauffage a une source de chauffage dans une direction croisant le substrat semi-conducteur à disposer à l'intérieur de la chambre de chauffage.
(JA)
直径、又は長径が比較的大きい半導体基板においても、表面を均一に加熱することが可能な半導体基板の製造装置を提供する。 半導体基板を収容する本体容器と、 前記本体容器を収容する加熱室を有する加熱炉と、を備え、 前記加熱炉は、前記加熱室内に配置すべき前記半導体基板に対して交差する方向に加熱源を有する、半導体基板の製造装置。
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