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1. WO2020203505 - 抵抗素子及び電力増幅回路

公開番号 WO/2020/203505
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/013165
国際出願日 24.03.2020
IPC
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
H01L 21/338 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
338ショットキーゲートを有するもの
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 21/8232 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
H01L 27/06 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
06複数の個々の構成部品を反復しない形で含むもの
H01L 29/778 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
778二次元電荷担体ガスチャンネルをもつもの,例.HEMT
出願人
  • パナソニックセミコンダクターソリューションズ株式会社 PANASONIC SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 宮島 賢一 MIYAJIMA, Kenichi
  • 加藤 由明 KATOU, Yoshiaki
  • 西尾 明彦 NISHIO, Akihiko
  • 本吉 要 MOTOYOSHI, Kaname
代理人
  • 新居 広守 NII, Hiromori
  • 寺谷 英作 TERATANI, Eisaku
  • 道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi
優先権情報
62/827,65701.04.2019US
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RESISTANCE ELEMENT AND ELECTRICAL POWER AMPLIFIER CIRCUIT
(FR) ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE ET CIRCUIT AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE ÉLECTRIQUE
(JA) 抵抗素子及び電力増幅回路
要約
(EN)
A resistance element (100) is provided with: a substrate (101); a first nitride semiconductor layer (102); a second nitride semiconductor layer (103); a two-dimensional electron gas layer (107) provided on the first nitride semiconductor layer (102) side of an interface between the first nitride semiconductor layer (102) and the second nitride semiconductor layer (103); a first electrode (113) ohmic-contacted to the two-dimensional electron gas layer (107); a second electrode (114) ohmic-contacted to the two-dimensional electron gas layer (107); and an insulating layer provided between the first electrode (113) and the second electrode (114) in plan view. The two-dimensional electron gas layer (107) functions as an electrical resistance element, and no conductive layers are disposed above the insulating layer between the first electrode (113) and the second electrode (114) in plan view, whereby a resistance-value stabilizing structure that functions so that the resistance value of the electrical resistance element becomes constant is provided.
(FR)
L'invention concerne un élément de résistance (100) comprenant : un substrat (101) ; une première couche semi-conductrice au nitrure (102) ; une seconde couche semi-conductrice au nitrure (103) ; une couche de gaz d'électrons bidimensionnelle (107) disposée sur le côté de la première couche semi-conductrice au nitrure (102) d'une interface entre la première couche semi-conductrice au nitrure (102) et la seconde couche semi-conductrice au nitrure (103) ; une première électrode (113) mise en contact ohmique avec la couche de gaz d'électrons bidimensionnelle (107) ; une seconde électrode (114) mise en contact ohmique avec la couche de gaz d'électrons bidimensionnelle (107) ; et une couche isolante disposée entre la première électrode (113) et la seconde électrode (114) dans une vue en plan. La couche de gaz d'électrons bidimensionnelle (107) fonctionne comme un élément de résistance électrique, et aucune couche conductrice n'est disposée au-dessus de la couche isolante entre la première électrode (113) et la seconde électrode (114) dans une vue en plan, ce qui fait qu'une structure de stabilisation de valeur de résistance qui fonctionne de telle sorte que la valeur de résistance de l'élément de résistance électrique devienne constante est fournie.
(JA)
抵抗素子(100)は、基板(101)と、第1窒化物半導体層(102)と、第2窒化物半導体層(103)と、第1窒化物半導体層(102)と第2窒化物半導体層(103)との界面の第1窒化物半導体層(102)側に設けられた2次元電子ガス層(107)と、2次元電子ガス層(107)とオーミック接続された第1電極(113)と、2次元電子ガス層(107)とオーミック接続された第2電極(114)と、平面視で第1電極(113)と第2電極(114)との間に設けられた絶縁層と、を備え、2次元電子ガス層(107)は、電気抵抗要素として機能し、平面視で第1電極(113)と第2電極(114)との間の絶縁層の上方には導電層が配置されず、電気抵抗要素の抵抗値が一定となるように機能する抵抗値安定化構造を有する。
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