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1. WO2020203437 - 半導体加工用保護シートおよび半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/203437
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/012872
国際出願日 24.03.2020
IPC
B32B 27/00 2006.01
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
27本質的に合成樹脂からなる積層体
C09J 201/00 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
201不特定の高分子化合物に基づく接着剤
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
C09J 7/38 2018.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
7フィルム状または箔状の接着剤
30接着剤組成物に特徴のあるもの
38感圧性接着剤
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 橋本 紗英 HASHIMOTO Sae
  • 中西 勇人 NAKANISHI Hayato
代理人
  • 前田・鈴木国際特許業務法人 MAEDA & SUZUKI
優先権情報
2019-06869029.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PROTECTION SHEET FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) FEUILLE DE PROTECTION POUR TRAITEMENT DE SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体加工用保護シートおよび半導体装置の製造方法
要約
(EN)
This protection sheet for semiconductor processing has, in order, a base material, and upon the base material, an intermediate layer and an adhesive layer. The residual stress in the intermediate layer after the intermediate layer is kept at 65°C for 300 seconds is 300 Pa or less.
(FR)
Cette feuille de protection pour le traitement de semi-conducteurs comprend un matériau de base, ainsi qu'une couche intermédiaire et une couche adhésive sur le matériau de base dans cet ordre. La contrainte résiduelle de la couche intermédiaire après que la feuille est maintenue à 65°C pendant 300 secondes est inférieure ou égale à 300 Pa.
(JA)
基材と、基材上に中間層と粘着剤層とをこの順で有する半導体加工用保護シートであって、65℃で300秒保持後の中間層の残留応力が300Pa以下である半導体加工用保護シートである。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報