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1. WO2020203406 - プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置

公開番号 WO/2020/203406
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/012686
国際出願日 23.03.2020
IPC
H05H 1/46 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
Hプラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1プラズマの生成;プラズマの取扱い
24プラズマの発生
46電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01L 21/3065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 鎌田 英紀 KAMATA, Eiki
  • 佐藤 幹夫 SATO, Mikio
  • 池田 太郎 IKEDA, Taro
  • 山本 伸彦 YAMAMOTO, Nobuhiko
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2019-07154103.04.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PLASMA PROCESSING METHOD AND PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
要約
(EN)
Provided is a plasma processing method for a plasma processing device provided with a chamber, a stage for placing a substrate in the chamber, a plurality of radiating units for radiating a plurality of electromagnetic waves, and a dielectric window disposed between the plurality of radiating units and the stage, wherein the plasma processing method includes: a step of preparing the substrate on the stage; a step of controlling the phase of at least one of the plurality of electromagnetic waves radiated from the plurality of radiating units; a step of radiating the plurality of electromagnetic waves into the chamber from the plurality of radiating units; and a step of processing the substrate by means of localized plasma generated from gas supplied between the dielectric window and the stage.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement au plasma pour un dispositif de traitement au plasma comportant une chambre, un étage pour placer un substrat dans la chambre, une pluralité d'unités rayonnantes pour rayonner une pluralité d'ondes électromagnétiques et une fenêtre diélectrique disposée entre la pluralité d'unités rayonnantes et l'étage. Le procédé de traitement au plasma comprend une étape de préparation du substrat sur l'étage ; une étape de commande de phase d'au moins une onde parmi la pluralité d'ondes électromagnétiques rayonnées à partir de la pluralité d'unités rayonnantes ; une étape de rayonnement de la pluralité d'ondes électromagnétiques dans la chambre à partir de la pluralité d'unités rayonnantes ; et une étape de traitement du substrat au moyen d'un plasma localisé généré à partir du gaz fourni entre la fenêtre diélectrique et l'étage.
(JA)
チャンバと、前記チャンバ内にて基板を載置するステージと、複数の電磁波を放射する複数の放射部と、複数の前記放射部と前記ステージとの間に配置される誘電体窓と、を有するプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法であって、基板を前記ステージに準備する工程と、複数の前記放射部から放射する複数の前記電磁波の少なくともいずれかの位相を制御する工程と、複数の前記電磁波を複数の前記放射部から前記チャンバ内に放射する工程と、前記誘電体窓と前記ステージとの間に供給されたガスから生成された局所プラズマにより前記基板を処理する工程と、を有する、プラズマ処理方法が提供される。
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