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1. WO2020202935 - 光電変換装置

公開番号 WO/2020/202935
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/008047
国際出願日 27.02.2020
IPC
H01L 21/768 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 23/522 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H01L 27/146 2006.1
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.1
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
CPC
H01L 21/768
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
H01L 23/522
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
H01L 27/14612
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14609Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
14612involving a transistor
H01L 27/1462
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
H01L 27/14621
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
1462Coatings
14621Colour filter arrangements
H01L 27/14627
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
146Imager structures
14601Structural or functional details thereof
14625Optical elements or arrangements associated with the device
14627Microlenses
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 若林 大介 WAKABAYASHI Daisuke
  • 留河 優子 TOMEKAWA Yuuko
代理人
  • 鎌田 健司 KAMATA Kenji
  • 野村 幸一 NOMURA Koichi
優先権情報
2019-07261205.04.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (ja)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換装置
要約
(EN) The photoelectric conversion device according to an embodiment of the present disclosure is provided with: a substrate; an optical detection film having a first surface facing the substrate and a second surface on the opposite side from the first surface; a plurality of first electrodes provided between the substrate and the optical detection film; a second electrode provided between the substrate and the optical detection film, the second electrode having a first portion overlapping with the first surface and a second portion that does not overlap with the first surface when viewed from the normal direction of the substrate; a third electrode provided on the second surface of the optical detection film, the third electrode having a third surface facing the second surface; a wiring electrically connecting the second electrode and the third electrode; and a first electroconductive plug connected to the first portion of the second electrode, the first electroconductive plug extending towards the substrate. The material constituting the first electroconductive plug differs from the material constituting the second electrode. The wiring continuously covers a side surface of the optical detection film and the second portion of the second electrode.
(FR) Le dispositif de conversion photoélectrique selon un mode de réalisation de la présente invention comprend : un substrat ; un film de détection optique ayant une première surface faisant face au substrat et une deuxième surface sur le côté opposé à la première surface ; une pluralité de premières électrodes disposées entre le substrat et le film de détection optique ; une deuxième électrode disposée entre le substrat et le film de détection optique, la deuxième électrode ayant une première partie chevauchant la première surface et une seconde partie qui ne chevauche pas la première surface lorsqu'elle est vue depuis la direction normale du substrat ; une troisième électrode disposée sur la deuxième surface du film de détection optique, la troisième électrode ayant une troisième surface faisant face à la deuxième surface ; un câblage connectant électriquement la deuxième électrode et la troisième électrode ; et une première fiche électriquement conductrice reliée à la première partie de la deuxième électrode, la première fiche électriquement conductrice s'étendant vers le substrat. Le matériau constituant la première fiche électriquement conductrice diffère du matériau constituant la deuxième électrode. Le câblage recouvre en continu une surface latérale du film de détection optique et la seconde partie de la deuxième électrode.
(JA) 本開示の一態様に係る光電変換装置は、基板と、前記基板に対面する第1面、および前記第1面とは反対側の第2面を有する光検出膜と、前記基板と前記光検出膜との間に設けられた複数の第1電極と、前記基板と前記光検出膜との間に設けられ、前記基板の法線方向から見て、前記第1面と重なる第1部分、および前記第1面と重ならない第2部分を有する第2電極と、前記光検出膜の前記第2面上に設けられ、前記第2面に対面する第3面を有する第3電極と、前記第2電極と前記第3電極とを導通させる配線と、前記第2電極の前記第1部分と接続され、前記基板に向かって延びる第1導電プラグと、を備える。前記第1導電プラグの材料は、前記第2電極の材料と異なる。前記配線は、前記光検出膜の側面、および前記第2電極の前記第2部分を連続的に覆う。
関連特許文献
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