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1. WO2020202600 - 半導体装置、半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/202600
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/035905
国際出願日 12.09.2019
IPC
H01L 21/768 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71グループH01L21/70で限定された装置の特定部品の製造
768装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 23/532 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
52動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
532材料に特徴のあるもの
H01L 29/78 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人
  • 株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP]/[JP]
  • 東芝インフラシステムズ株式会社 TOSHIBA INFRASTRUCTURE SYSTEMS & SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 清水 一希 SHIMIZU, Kazuki
代理人
  • 日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko
  • 小崎 純一 KOZAKI, Junichi
  • 市川 浩 ICHIKAWA, Hiroshi
  • 白井 達哲 SHIRAI, Tatsunori
  • 内田 敬人 UCHIDA, Takahito
  • 竹内 功 TAKEUCHI, Isao
優先権情報
2019-06728429.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法
要約
(EN)
This method for manufacturing a semiconductor device comprises: a step for providing two source electrodes on a substrate; a step for providing, on one surface of the substrate, a gate electrode between the two source electrodes; a step for providing an insulating film on side surfaces of the two source electrodes, the substrate, and the gate electrode; a step for providing an air bridge underlying resist on the insulating film; and a step for providing an air bridge on the two source electrodes and the air bridge underlying resist, and removing the air bridge underlying resist. The semiconductor device manufacturing method is characterized in that a plane of the two source electrodes on the side opposite to the substrate and a surface of the air bridge underlying resist provided in a later step are substantially flush with each other.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprenant : une étape consistant à fournir deux électrodes de source sur un substrat ; une étape consistant à fournir, sur une surface du substrat, une électrode de grille entre les deux électrodes de source ; une étape consistant à fournir un film isolant sur des surfaces latérales des deux électrodes de source, le substrat et l'électrode de grille ; une étape consistant à fournir un résist sous-jacent de pont d'air sur le film isolant ; et une étape consistant à fournir un pont d'air sur les deux électrodes de source et le résist sous-jacent de pont d'air, et à retirer le résist sous-jacent de pont d'air. Le procédé de fabrication de dispositif à semi-conducteur est caractérisé en ce qu'un plan des deux électrodes de source sur le côté opposé au substrat et une surface du résist sous-jacent de pont d'air disposée dans une étape ultérieure sont sensiblement alignés l'un avec l'autre.
(JA)
半導体装置の製造方法は、基板に2つのソース電極を設ける工程と、前記基板の一方の面に、前記2つのソース電極の間にゲート電極を設ける工程と、前記2つのソース電極の側面と前記基板と前記ゲート電極に絶縁膜を設ける工程と、前記絶縁膜に、エアーブリッジ下地レジストを設ける工程と、前記2つのソース電極及び前記エアーブリッジ下地レジストに、エアーブリッジを設け、前記エアーブリッジ下地レジストを除去する工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、前記2つのソース電極の前記基板と反対側の面と、後の工程で設ける前記エアーブリッジ下地レジストの表面が、略面一となっていることを特徴とする。
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