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1. WO2020202557 - 半導体受光素子及び半導体受光素子製造方法

公開番号 WO/2020/202557
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/015157
国際出願日 05.04.2019
IPC
H01L 31/107 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
08輻射線が装置内を流れる電流を制御するもの,例.光―抵抗器(フォト―レジスター)
10少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの,例.フォトトランジスタ
101赤外線,可視光線または紫外線の放射に感応する装置
102唯一の電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
107電位障壁がアバランシェモードで作用するもの,例.アバランシェフォトダイオード
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 竹村 亮太 TAKEMURA Ryota
  • 菊地 真人武 KIKUCHI Matobu
代理人
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LIGHT-RECEIVING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE RÉCEPTION DE LUMIÈRE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体受光素子及び半導体受光素子製造方法
要約
(EN)
This semiconductor light-receiving element (50) is a semiconductor light-receiving element in which a multiplication layer (2), an electric field control layer (3), a light absorption layer (4), and a window layer (5) are sequentially formed on a semiconductor substrate (1) and a p-type area (6) is formed on the window layer (5). The p-type area (6) has a first p-type part (14) and a second p-type part (15) having a larger current multiplication factor due to light incidence than the first p-type part (14). The first p-type part (14) is formed in a central portion of the p-type area (6), which includes a central axis (21c) perpendicular to a semiconductor substrate (1), and the second p-type part (15) is formed in the outer periphery of a central portion in a radial direction with respect to the central axis (21c).
(FR)
L'invention concerne un élément de réception de lumière à semi-conducteur (50) qui est un élément de réception de lumière à semi-conducteur dans lequel une couche de multiplication (2), une couche de commande de champ électrique (3), une couche d'absorption de lumière (4), et une couche de fenêtre (5) sont formées séquentiellement sur un substrat semi-conducteur (1) et une zone de type p (6) est formée sur la couche de fenêtre (5). La zone de type p (6) a une première partie de type p (14) et une seconde partie de type p (15) ayant un facteur de multiplication de courant plus grand dû à une incidence de lumière que la première partie de type p (14). La première partie de type p (14) est formée dans une partie centrale de la zone de type p (6), qui comprend un axe central (21c) perpendiculaire à un substrat semi-conducteur (1), et la seconde partie de type p (15) est formée dans la périphérie externe d'une partie centrale dans une direction radiale par rapport à l'axe central (21c).
(JA)
半導体受光素子(50)は、半導体基板(1)に増倍層(2)、電界制御層(3)、光吸収層(4)、窓層(5)が順次形成されており、窓層(5)にp型領域(6)が形成されている半導体受光素子である。p型領域(6)は、第一p型部(14)と第一p型部(14)よりも光入射による電流の増倍率が大きい第二p型部(15)とを有している。第一p型部(14)はp型領域(6)における半導体基板(1)に垂直な中心軸(21c)を包含する中央部に形成されており、第二p型部(15)は中心軸(21c)に対する径方向における中央部の外周に形成されている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報