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1. WO2020202286 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法

公開番号 WO/2020/202286
公開日 08.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/014101
国際出願日 29.03.2019
IPC
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
G09F 9/00 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 佐野 真仁 SANO, Masahito
  • 見村 浩英 MIMURA, Hirohide
  • 伊東 一篤 ITO, Kazuatsu
代理人
  • 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示デバイス、表示デバイスの製造方法
要約
(EN)
A display device (2) includes a plurality of first transistors (T1). Each of the first transistors comprises: a gate electrode (12) that contains Cu; a gate insulating film (14) that overlaps with the gate electrode; a channel region (22) that faces the gate electrode with the gate insulating film interposed therebetween; an oxide semiconductor layer (16) that sandwiches the channel region, the oxide semiconductor layer including a source region (24) and a drain region (26) that are exposed from the gate insulating film; an inorganic insulating protective film (18) that covers at least a portion of the gate electrode; and an interlayer insulating film (20) that covers the oxide semiconductor layer and the inorganic insulating protective film. The inorganic insulating protective film is provided so as to cover the end surface of the gate electrode in the channel length direction and to conform to the gate insulating film in the channel length direction.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'affichage (2) qui comprend une pluralité de premiers transistors (T1). Chacun des premiers transistors comprend : une électrode de grille (12) qui contient du cuivre (Cu) ; un film d'isolation de grille (14) qui chevauche l'électrode de grille ; une région de canal (22) qui fait face à l'électrode de grille avec le film d'isolation de grille intercalé entre ces dernières ; une couche semi-conductrice d'oxyde (16) qui prend en sandwich la région de canal, la couche semi-conductrice d'oxyde comprenant une région de source (24) et une région de drain (26) qui sont exposées à partir du film d'isolation de grille ; un film protecteur isolant inorganique (18) qui recouvre au moins une partie de l'électrode de grille ; et un film isolant intercouche (20) qui recouvre la couche semi-conductrice d'oxyde et le film protecteur isolant inorganique. Le film protecteur isolant inorganique est disposé de sorte à recouvrir la surface d'extrémité de l'électrode de grille dans le sens de la longueur du canal et à se conformer au film isolant de grille dans le sens de la longueur du canal.
(JA)
表示デバイス(2)は、複数の第1トランジスタ(T1)を含む。前記第1トランジスタのそれぞれは、Cuを含むゲート電極(12)と、前記ゲート電極と重畳するゲート絶縁膜(14)と、前記ゲート絶縁膜を介して対向するチャネル領域(22)と、該チャネル領域を挟むように設けられるとともに、前記ゲート絶縁膜から露出するソース領域(24)およびドレイン領域(26)とを含む酸化物半導体層(16)と、前記ゲート電極の少なくとも一部を覆う無機保護絶縁膜(18)と、前記酸化物半導体層および前記無機保護絶縁膜を覆う層間絶縁膜(20)とを含む。前記無機保護絶縁膜は、チャネル長方向の前記ゲート電極の端面を覆い、チャネル長方向において前記ゲート絶縁膜と整合するように設けられる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報