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1. WO2020196854 - レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、パターニングされた基板の製造方法及び化合物

公開番号 WO/2020/196854
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/014140
国際出願日 27.03.2020
IPC
C07C 39/23 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
C非環式化合物または炭素環式化合物
396員芳香環の炭素原子に結合している少なくとも1個の水酸基またはO―金属基をもつ化合物
236員芳香環および他の環を含有し,芳香環以外に不飽和結合を有する多環式のもの
C07C 211/54 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
C非環式化合物または炭素環式化合物
211炭素骨格に結合しているアミノ基を含有する化合物
43炭素骨格の6員芳香環系の炭素原子に結合しているアミノ基をもつもの
542個または3個の6員芳香環に結合しているアミノ基をもつもの
C08F 38/00 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
381個以上の炭素-炭素三重結合を含有する化合物の単独重合体または共重合体
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/26 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
出願人
  • JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中藤 慎也 NAKAFUJI Shin-ya
  • 谷口 智章 TANIGUCHI Tomoaki
  • 高梨 和憲 TAKANASHI Kazunori
代理人
  • 天野 一規 AMANO Kazunori
優先権情報
2019-06360928.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR PRODUCING PATTERNED SUBSTRATE, AND COMPOUND
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT POURVU DE MOTIFS ET COMPOSÉ
(JA) レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、パターニングされた基板の製造方法及び化合物
要約
(EN)
The present invention addresses the problem of providing: a composition for forming a resist underlayer film excellent in terms of etching resistance, heat resistance, flatness, and bending resistance; a resist underlayer film; a method for forming a resist underlayer film; a method for producing a patterned substrate; and a compound. The composition for forming a resist underlayer film comprises a compound having a group represented by formula (1) and a solvent. In formula (1), R1 and R2 are each independently an (un)substituted aryl group in which the aryl is 6- to 30-membered or an (un)substituted heteroaryl group in which the heteroaryl is 5- to 30-membered. R3 is a hydrogen atom or an (un)substituted monovalent aliphatic hydrocarbon group having 1-10 carbon atoms. Symbol * indicates a site of bonding with the portion of the compound other than the group represented by formula (1).
(FR)
La présente invention aborde le problème consistant à fournir : une composition de formation de film de sous-couche de résine photosensible qui est excellente en termes de résistance à la gravure, de résistance thermique, de planéité, et de résistance à la flexion ; un film de sous-couche de résine photosensible ; un procédé de formation d'un film de sous-couche de résine photosensible ; un procédé de production d'un substrat pourvu de motifs ; et un composé. L'invention concerne une composition de formation d'un film de sous-couche de résine photosensible qui comprend un composé ayant un groupe représenté par la formule (1), et un solvant. Dans la formule (1), R1 et R2 sont chacun indépendamment un groupe aryle (non)substitué dans lequel l'aryle est de 6 à 30 chaînons ou un groupe hétéroaryle (non)substitué dans lequel l'hétéroaryle est de 5 à 30 chaînons. R3 représente un atome d'hydrogène ou un groupe hydrocarboné aliphatique monovalent (non)substitué ayant de 1 à 10 atomes de carbone. Le symbole * indique un site de liaison avec la partie du composé autre que le groupe représenté par la formule (1).
(JA)
エッチング耐性、耐熱性、平坦性及び曲がり耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜、レジスト下層膜の形成方法、パターニングされた基板の製造方法及び化合物を提供することを課題とする。下記式(1)で表される基を有する化合物と、溶媒とを含有するレジスト下層膜形成用組成物。下記式(1)中、R及びRはそれぞれ独立して、置換若しくは非置換の環員数6~30のアリール基又は置換若しくは非置換の環員数5~30のヘテロアリール基である。Rは、水素原子又は置換若しくは非置換の炭素数1~10の1価の脂肪族炭化水素基である。*は、上記化合物における下記式(1)で表される基以外の部分との結合部位を示す。)
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