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1. WO2020196739 - 赤外LED素子

公開番号 WO/2020/196739
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/013626
国際出願日 26.03.2020
IPC
H01L 33/02 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
H01L 33/10 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
10反射構造を有するもの,例.半導体ブラッグ反射鏡
H01L 33/22 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
20特定の形状を有するもの,例.湾曲または面取りされた基板
22粗面,凹凸面,例.エピタキシャル層の界面にあるもの
H01L 33/30 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
H01L 33/38 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
36電極に特徴があるもの
38特定の形状
H01L 33/46 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
44コーティングに特徴があるもの,例.パシベーション層,反射防止コーティング
46反射コーティング,例.誘電体ブラッグ反射鏡
出願人
  • ウシオオプトセミコンダクター株式会社 USHIO OPTO SEMICONDUCTORS, INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 飯塚 和幸 IIZUKA,Kazuyuki
  • 喜根井 聡文 KINEI,Satofumi
  • 中村 薫 NAKAMURA,Kaoru
  • 杉山 徹 SUGIYAMA,Toru
  • 佐々木 真二 SASAKI,Shinji
代理人
  • 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所 UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE
優先権情報
2019-06458628.03.2019JP
2019-22035805.12.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) INFRARED LED ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE (DEL) INFRAROUGE
(JA) 赤外LED素子
要約
(EN)
The present invention achieves an infrared LED element which has an emission wavelength of more than 1,000 nm, while having a higher light extraction efficiency than ever before. An infrared LED element according to the present invention comprises: a substrate which contains InP, while having a concentration of a dopant of a first conductivity type of less than 3 × 1018/cm3; a first semiconductor layer which is formed on top of the substrate, while having the first conductivity type; an active layer which is formed on top of the first semiconductor layer; and a second semiconductor layer which is formed on top of the active layer, while having a second conductivity type that is different from the first conductivity type. This infrared LED element has a main emission wavelength of 1,000 nm or more but less than 1,800 nm.
(FR)
La présente invention permet d'obtenir un élément de diode électroluminescente (DEL) infrarouge qui a une longueur d'onde d'émission de plus de 1 000 nm, tout en ayant une efficacité d'extraction de lumière plus élevée que jamais. Un élément de DEL infrarouge selon la présente invention comprend : un substrat qui contient de l'InP, tout en ayant une concentration d'un dopant d'un premier type de conductivité inférieure à 3 × 1018/cm3 ; une première couche semi-conductrice qui est formée sur le dessus du substrat, tout en ayant le premier type de conductivité ; une couche active qui est formée sur le dessus de la première couche semi-conductrice ; et une seconde couche semi-conductrice qui est formée sur le dessus de la couche active, tout en ayant un second type de conductivité qui est différent du premier type de conductivité. L'élément de DEL infrarouge de la présente invention a une longueur d'onde d'émission principale de 1 000 nm ou plus mais inférieure à 1 800 nm.
(JA)
発光波長が1000nmを超え、光の取り出し効率を従来よりも向上した赤外LED素子を実現する。 本発明に係る赤外LED素子は、InPを含んでなり第一導電型のドーパント濃度が3×1018/cm3未満を示す基板と、基板の上層に形成され第一導電型を示す第一半導体層と、第一半導体層の上層に形成された活性層と、活性層の上層に形成され第一導電型とは異なる第二導電型を示す第二半導体層とを有し、主たる発光波長が1000nm以上、1800nm未満を示す。
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