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1. WO2020196709 - 熱電変換材料のチップの製造方法

公開番号 WO/2020/196709
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/013547
国際出願日 26.03.2020
IPC
H01L 35/34 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
35異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
34これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 35/16 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
35異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
12接合の脚部材料の選択
14無機組成物を用いるもの
16テルルまたはセレンまたはイオウからなるもの
H01L 35/32 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
35異種材料の接合からなる熱電装置,すなわち他の熱電効果あるいは熱磁気効果を伴いまたは伴わないゼーベックまたはペルチェ効果を示すもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
28ペルチェ効果またはゼーベック効果だけで動作するもの
32装置を形成するセルまたは熱電対の構造または配列に特徴のあるもの
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 加藤 邦久 KATO, Kunihisa
  • 森田 亘 MORITA, Wataru
代理人
  • 特許業務法人大谷特許事務所 OHTANI PATENT OFFICE
優先権情報
2019-06463528.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING CHIP OF THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UNE PUCE D'UN MATÉRIAU DE CONVERSION THERMOÉLECTRIQUE
(JA) 熱電変換材料のチップの製造方法
要約
(EN)
Provided is a method for manufacturing a chip of a thermoelectric conversion material, the method making it possible to perform, in a simple step, annealing of the thermoelectric conversion material in a way that does not involve a junction with an electrode, and making it possible to anneal a thermoelectric semiconductor material at an optimum annealing temperature, the thermoelectric conversion material comprising a thermoelectric semiconductor composition. The method comprises: (A) a step for forming a chip of the thermoelectric conversion material on a substrate; (B) a step for annealing the chip of the thermoelectric conversion material obtained in the step of (A); and (C) a step for peeling the chip of the thermoelectric conversion material after annealing, obtained in the step of (B). The thermoelectric semiconductor composition includes a thermoelectric semiconductor material and a resin, and the temperature of the annealing is not lower than the decomposition temperature of the resin.
(FR)
L'invention concerne un procédé pour fabriquer une puce d'un matériau de conversion thermoélectrique. Le procédé permet d'effectuer, par une étape simple, le recuit du matériau de conversion thermoélectrique d'une manière qui n'implique pas de jonction à une électrode, et permet de recuire un matériau semi-conducteur thermoélectrique à une température de recuit optimale, le matériau de conversion thermoélectrique comprenant une composition semi-conductrice thermoélectrique. Le procédé consiste : (A) en une étape de formation d'une puce du matériau de conversion thermoélectrique sur un substrat ; (B) en une étape de recuit de la puce du matériau de conversion thermoélectrique obtenue à l'étape (A) ; et (C) en une étape de pelage de la puce du matériau de conversion thermoélectrique après recuit obtenue à l'étape (B). La composition semi-conductrice thermoélectrique comprend un matériau semi-conducteur thermoélectrique et une résine, et la température du recuit n'est pas inférieure à la température de décomposition de la résine.
(JA)
簡易な工程で電極との接合部を有さない形態で熱電変換材料のアニール処理を可能にし、最適なアニール温度で熱電半導体材料のアニールが可能となる熱電変換材料のチップの製造方法を提供するものであり、熱電半導体組成物からなる熱電変換材料のチップを製造する方法であって、(A)基板上に前記熱電変換材料のチップを形成する工程、(B)前記(A)の工程で得られた前記熱電変換材料のチップをアニール処理する工程、及び(C)前記(B)の工程で得られたアニール処理後の前記熱電変換材料のチップを剥離する工程、を含み、前記熱電半導体組成物が、熱電半導体材料及び樹脂を含み、前記アニール処理の温度が、該樹脂の分解温度以上である、熱電変換材料のチップの製造方法である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報