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1. WO2020196411 - 点光源型発光ダイオード及びその製造方法

公開番号 WO/2020/196411
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/012734
国際出願日 23.03.2020
IPC
H01L 33/10 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
10反射構造を有するもの,例.半導体ブラッグ反射鏡
H01L 33/14 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
14電流制御構造を有するもの,例.高濃度ドープ半導体層,電流ブロック構造
H01L 33/30 2010.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02半導体素子本体に特徴のあるもの
26発光領域の材料
30III族およびV族元素のみを有するもの
出願人
  • DOWAエレクトロニクス株式会社 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 岩田 雅年 IWATA Masatoshi
  • 東海林 慎也 SHOJI Shinya
代理人
  • 杉村 憲司 SUGIMURA Kenji
優先権情報
2019-05929526.03.2019JP
2020-04894519.03.2020JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POINT SOURCE LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE DE SOURCE PONCTUELLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 点光源型発光ダイオード及びその製造方法
要約
(EN)
Provided are: a point source light emitting diode which enables the manufacturing process to be simplified and has excellent temperature dependence characteristics; and a method for manufacturing the same. The point source light emitting diode according to the present invention comprises: a support substrate; a metal layer which has a light reflecting surface; a current blocking layer; a group III-V compound semiconductor stack which includes, in order, an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer; and a top side electrode. The top side electrode has an opening portion from which light emitted by the active layer is emitted. The current blocking layer includes a dielectric layer having a through hole, and an intermediate electrode. On a projection surface of the top side electrode onto which the current blocking layer including the intermediate electrode is vertically projected, the opening portion contains the intermediate electrode and the dielectric layer contains the top side electrode. The p-type semiconductor layer has a thickness of 0.5 to 3.0 μm.
(FR)
L'invention concerne : une diode électroluminescente de source ponctuelle qui permet de simplifier le processus de fabrication et qui présente d'excellentes caractéristiques de dépendance à la température ; et son procédé de fabrication. La diode électroluminescente de source ponctuelle selon la présente invention comprend : un substrat de support ; une couche métallique qui a une surface de réflexion de lumière ; une couche de blocage de courant ; un empilement de semi-conducteurs composé du groupe III-V qui comprend, dans l'ordre, une couche semi-conductrice de type n, une couche active et une couche semi-conductrice de type p ; et une électrode latérale supérieure. L'électrode côté supérieur a une partie d'ouverture à partir de laquelle la lumière émise par la couche active est émise. La couche de blocage de courant comprend une couche diélectrique ayant un trou traversant, et une électrode intermédiaire. Sur une surface de projection de l'électrode côté supérieur sur laquelle la couche de blocage de courant comprenant l'électrode intermédiaire est projetée verticalement, la partie d'ouverture contient l'électrode intermédiaire et la couche diélectrique contient l'électrode côté supérieur. La couche semi-conductrice de type p a une épaisseur de 0,5 à 3,0 µm.
(JA)
製造工程を簡略化でき、かつ温度依存特性に優れた点光源型発光ダイオード及びその製造方法を提供する。 本発明による点光源型発光ダイオードは、支持基板と、光反射面を備える金属層と、電流狭窄層と、n型半導体層、活性層及びp型半導体層を順次備えるIII-V族化合物半導体積層体と、上面電極と、を有し、上面電極は活性層で発光した光を出射する開口部を備え、電流狭窄層は、貫通孔を備える誘電体層及び中間電極を備え、上面電極に対して中間電極を含む電流狭窄層を垂直投影した投影面において、開口部が中間電極を内包し、かつ、誘電体層が上面電極を内包し、p型半導体層の膜厚が0.5μm以上3.0μm以下である。
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