処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020196225 - チップ転写板ならびに半導体チップ積層方法および半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/196225
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/012204
国際出願日 19.03.2020
IPC
H01L 21/60 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
CPC
H01L 2224/16145
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
161Disposition
16135the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
16145the bodies being stacked
H01L 2224/32145
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
32of an individual layer connector
321Disposition
32135the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
32145the bodies being stacked
H01L 2224/73204
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73201on the same surface
73203Bump and layer connectors
73204the bump connector being embedded into the layer connector
出願人
  • 東レエンジニアリング株式会社 TORAY ENGINEERING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 橋本 靖典 HASHIMOTO, Yasunori
  • 朝日 昇 ASAHI, Noboru
  • 新井 義之 ARAI, Yoshiyuki
優先権情報
2019-06242728.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CHIP TRANSFER PLATE, SEMICONDUCTOR CHIP LAMINATION METHOD, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PLAQUE DE TRANSFERT DE PUCE, PROCÉDÉ DE STRATIFICATION DE PUCE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) チップ転写板ならびに半導体チップ積層方法および半導体装置の製造方法
要約
(EN)
The present invention aims to provide: a chip transfer plate suitable for obtaining a chip laminate having a plurality of semiconductor chips laminated in a temporarily fixed state; a semiconductor chip production method; and a semiconductor device production method that balances productivity and yield. Specifically, the present invention provides: a chip transfer plate having provided therein a support substrate, an adhesive layer provided on one surface of the support substrate, a plurality of semiconductor chips held by the adhesive layer and having a bump electrode on the opposite side to the side held by the adhesive layer, and an uncured heat-curable adhesive layer on the bump electrode side of each of the semiconductor chips; a semiconductor chip lamination method using same; and a semiconductor device production method.
(FR)
La présente invention vise à fournir : une plaque de transfert de puce appropriée pour obtenir un stratifié de puce ayant une pluralité de puces à semi-conducteur stratifiées dans un état temporairement fixe ; un procédé de production de puce à semi-conducteur ; et un procédé de production de dispositif à semi-conducteur qui équilibre la productivité et le rendement. Spécifiquement, la présente invention concerne : une plaque de transfert de puce dans laquelle est disposé un substrat de support, une couche adhésive disposée sur une surface du substrat de support, une pluralité de puces à semi-conducteur maintenues par la couche adhésive et ayant une électrode à bosse sur le côté opposé au côté maintenu par la couche adhésive, et une couche adhésive thermodurcissable non durcie sur le côté électrode de bosse de chacune des puces à semi-conducteur ; un procédé de stratification de puce à semi-conducteur l'utilisant ; et un procédé de production de dispositif semi-conducteur.
(JA)
複数の半導体チップが仮固定状態で積層されたチップ積層体を得るのに好適なチップ転写板ならびに半導体チップ積層方法を提供し、生産性と歩留まりを両立させた半導体装置の製造方法を提供すること。具体的には、サポート基板と、サポート基板の片面に設けられた粘着層と、前記粘着層に保持され、前記粘着層に保持された面の反対側にバンプ電極を有する、多数の半導体チップと、前記半導体チップ個々のバンプ電極側に未硬化の熱硬化性接着層が設けられた、チップ転写板ならびにこれを用いた半導体チップ積層方法および半導体装置の製造方法を提供する。
他の公開
国際事務局に記録されている最新の書誌情報