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1. WO2020196179 - 成膜装置、成膜方法、および成膜システム

公開番号 WO/2020/196179
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/012073
国際出願日 18.03.2020
IPC
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
出願人
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP]
発明者
  • 久保 敦史 KUBO, Atsushi
  • 阪上 博充 SAKAUE, Hiromitsu
  • 新藤 健弘 SHINDO, Takehiro
  • 似鳥 弘弥 NITADORI, Hiromi
  • 遠藤 篤史 ENDO, Atsushi
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2019-06182527.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) FILM-FORMING DEVICE, FILM-FORMING METHOD, AND FILM-FORMING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM, PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET SYSTÈME DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜装置、成膜方法、および成膜システム
要約
(EN)
This film-forming device is provided with a processing container, a support ring, a film-forming unit, and a control unit. The support ring supports the peripheral edge of a substrate disposed on the processing container. The film-forming unit has a plurality of supply ports. The film forming unit supplies a material gas from the supply ports to the reverse surface of the substrate in relation to the surface on which an element is formed, and thereby forms a film on the reverse surface of the substrate. The control unit independently controls the supplying of the material gas, and the stopping of the supplying of the material gas, from each of the supply ports.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de formation de film qui est pourvu d'un récipient de traitement, d'un anneau de support, d'une unité de formation de film et d'une unité de commande. L'anneau de support supporte le bord périphérique d'un substrat disposé sur le récipient de traitement. L'unité de formation de film comporte une pluralité d'orifices d'alimentation. L'unité de formation de film apporte un matériau gazeux à partir des orifices d'alimentation vers la surface arrière du substrat par rapport à la surface sur laquelle un élément est formé, et forme ainsi un film sur la surface arrière du substrat. L'unité de commande commande indépendamment l'alimentation en matériau gazeux, et l'arrêt de l'alimentation en matériau gazeux, à partir de chacun des orifices d'alimentation.
(JA)
成膜装置は、処理容器と、支持リングと、成膜部と、制御部とを備える。支持リングは、処理容器内に配置された基板の周縁を支持する。成膜部は、複数の供給口を有し、素子が形成される基板の面の裏面に向かってそれぞれの供給口から材料ガスを供給することにより、基板の裏面に成膜を行う。制御部は、それぞれの供給口からの材料ガスの供給および供給停止を独立に制御する。
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