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1. WO2020196029 - 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法、並びに固体撮像装置

公開番号 WO/2020/196029
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/011450
国際出願日 16.03.2020
IPC
H01L 51/42 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 27/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
出願人
  • ソニー株式会社 SONY CORPORATION [JP]/[JP]
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 齊藤 陽介 SAITO Yosuke
  • 大江 隆 OOE Takashi
  • 中込 湧士郎 NAKAGOME Yushiro
代理人
  • 西川 孝 NISHIKAWA Takashi
  • 稲本 義雄 INAMOTO Yoshio
  • 三浦 勇介 MIURA Yusuke
優先権情報
2019-06239828.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGE SENSOR, METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGE SENSOR, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CAPTEUR D'IMAGE À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法、並びに固体撮像装置
要約
(EN)
The present invention relates to a solid-state image sensor, a method for manufacturing a solid-state image sensor, and a solid-state imaging device, such that the photoelectric conversion efficiency of a blue light organic photoelectric transducer can be increased. In the present invention, an organic photoelectric conversion layer is formed by mixing a first organic semiconductor comprising a perylene derivative and having a property of absorbing blue light, a second organic semiconductor having a property of absorbing blue light and having a property as a hole transport material having crystallinity, and a third organic semiconductor comprising a fullerene derivative. The present invention can be applied to a solid-state image sensor.
(FR)
La présente invention concerne un capteur d'image à semi-conducteur, un procédé de fabrication d'un capteur d'image à semi-conducteur, et un dispositif d'imagerie à semi-conducteur. Grâce à la présente invention, le rendement de conversion photoélectrique d'un transducteur photoélectrique organique à lumière bleue peut être augmentée. Dans la présente invention, une couche de conversion photoélectrique organique est formée en mélangeant un premier semi-conducteur organique qui comprend un dérivé de pérylène et qui a une propriété d'absorption de lumière bleue, un deuxième semi-conducteur organique qui a une propriété d'absorption de lumière bleue et qui a une propriété de matériau de transport de trous qui a une cristallinité, et un troisième semi-conducteur organique qui comprend un dérivé de fullerène. La présente technique peut être appliquée sur un capteur d'image CMOS.
(JA)
本技術は、青色光の有機光電変換素子の光電変換効率を高効率化させることができるようにする固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法、並びに固体撮像装置に関する。 青色光を吸収する特性を有するペリレン誘導体からなる第1有機半導体と、青色光に吸収する特性を有すると共に、結晶性を有するホール輸送材料としての特性を有する第2有機半導体と、フラーレン誘導体からなる第3有機半導体とを混合して有機光電変換層を形成する。本技術は、固体撮像素子に適用することができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報