処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020195972 - 表示装置および表示装置の製造方法

公開番号 WO/2020/195972
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/011184
国際出願日 13.03.2020
IPC
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
G09F 9/00 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H01L 21/28 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
H01L 21/285 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
285気体または蒸気からの析出,例.凝結
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
出願人
  • 株式会社ジャパンディスプレイ JAPAN DISPLAY INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 津吹 将志 TSUBUKU Masashi
  • 境 武志 SAKAI Takeshi
  • 戸田 達也 TODA Tatsuya
代理人
  • 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ TAKAHASHI, HAYASHI AND PARTNER PATENT ATTORNEYS, INC.
優先権情報
2019-06381528.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 表示装置および表示装置の製造方法
要約
(EN)
This display device includes: a transistor including a gate electrode formed on an insulation surface, a gate insulation layer formed on the gate electrode, an oxide semiconductor layer formed on the gate insulation layer so as to be superimposed on the gate electrode, a source/drain electrode that includes a first conductive layer containing nitrogen and formed on the gate insulation layer and the oxide semiconductor layer and a second conductive layer formed on the first conductive layer, and an insulation layer that contains oxygen and that is formed on the source/drain electrode and the oxide semiconductor layer; and a display element formed on the transistor.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'affichage comprenant : un transistor comprenant une électrode de grille formée sur une surface d'isolation, une couche d'isolation de grille formée sur l'électrode de grille, une couche semi-conductrice à oxyde formée sur la couche d'isolation de grille de manière à être superposée sur l'électrode de grille, une électrode de source/drain qui comprend une première couche conductrice contenant de l'azote et formée sur la couche d'isolation de grille et la couche semi-conductrice à oxyde et une seconde couche conductrice formée sur la première couche conductrice, et une couche d'isolation qui contient de l'oxygène et qui est formée sur l'électrode de source/drain et la couche semi-conductrice à oxyde; et un élément d'affichage formé sur le transistor.
(JA)
表示装置は、絶縁表面上のゲート電極と、前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に、前記ゲート電極と重畳する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層および前記ゲート絶縁層上の窒素を含む第1導電層および前記第1導電層上の第2導電層を含むソース・ドレイン電極と、前記酸化物半導体層および前記ソース・ドレイン電極上の酸素を含む絶縁層と、を含む、トランジスタと、前記トランジスタ上の表示素子と、を含む。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報