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1. WO2020195918 - 非線形抵抗素子、スイッチング素子、非線形抵抗素子の製造方法

公開番号 WO/2020/195918
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/010978
国際出願日 13.03.2020
IPC
H01L 45/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
45電位障壁または表面障壁をもたず,整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される固体装置,例.誘電体三極素子;オブシンスキー効果装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 49/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
49H01L27/00~H01L47/00およびH01L51/00に分類されず,他のサブクラスにも分類されない固体装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
G11C 13/00 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
13G11C11/00,G11C23/00,またはG11C25/00に包含されない記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置
H01L 21/8239 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
出願人
  • 日本電気株式会社 NEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 沼田 秀昭 NUMATA Hideaki
  • 多田 宗弘 TADA Munehiro
  • 伴野 直樹 BANNO Naoki
  • 岡本 浩一郎 OKAMOTO Koichiro
  • 井口 憲幸 IGUCHI Noriyuki
代理人
  • 棚井 澄雄 TANAI Sumio
  • 森 隆一郎 MORI Ryuichirou
  • 松沼 泰史 MATSUNUMA Yasushi
  • 伊藤 英輔 ITO Eisuke
優先権情報
2019-05933626.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) NON-LINEAR RESISTANCE ELEMENT, SWITCHING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING NON-LINEAR RESISTANCE ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE NON LINÉAIRE, ÉLÉMENT DE COMMUTATION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE NON LINÉAIRE
(JA) 非線形抵抗素子、スイッチング素子、非線形抵抗素子の製造方法
要約
(EN)
The present invention provides a non-linear resistance element provided with a first electrode made of a metal nitride, a first intermediate layer made of a metal, a non-linear resistance layer made of an amorphous chalcogenide thin film, a second intermediate layer made of a metal, and a second electrode made of a metal nitride. The first electrode, the first intermediate layer, the non-linear resistance layer, the second intermediate layer and the second electrode are stacked in the sequence listed.
(FR)
La présente invention concerne un élément de résistance non linéaire pourvu d'une première électrode constituée d'un nitrure métallique, d'une première couche intermédiaire constituée d'un métal, d'une couche de résistance non linéaire constituée d'un film mince de chalcogénure amorphe, d'une seconde couche intermédiaire constituée d'un métal, et d'une seconde électrode constituée d'un nitrure métallique. La première électrode, la première couche intermédiaire, la couche de résistance non linéaire, la seconde couche intermédiaire et la seconde électrode sont empilées selon la séquence énumérée.
(JA)
非線形抵抗素子は、金属窒化物からなる第1電極と、金属からなる第1中間層と、アモルファス・カルコゲナイド薄膜からなる非線形抵抗層と、金属からなる第2中間層と、金属窒化物からなる第2電極とを備え、第1電極、第1中間層、非線形抵抗層、第2中間層、および、第2電極が、この順に積層されている。
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