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1. WO2020195825 - 撮像装置および電子機器

公開番号 WO/2020/195825
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/010510
国際出願日 11.03.2020
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/3745 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
37451つの画素もしくはセンサマトリクス中の画素グループに接続された付加的構成を有しているもの,例.メモリ,A/D変換器,画素増幅器,共用回路もしくは共用の構成
H04N 9/07 2006.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
9カラーテレビジョン方式の細部
04画像信号発生装置
071つの撮像装置のみを有するもの
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 城戸 英男 KIDO, Hideo
  • 町田 貴志 MACHIDA, Takashi
代理人
  • 特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION
優先権情報
2019-05616525.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE
(JA) 撮像装置および電子機器
要約
(EN)
Provided is an imaging device having excellent phase difference detection characteristics. The imaging device is provided with a plurality of image plane phase difference detecting pixels each of which comprises: a semiconductor layer; a photoelectric converting portion; a charge holding portion; a first light-blocking film; and a second light-blocking film. The semiconductor layer has a front surface and a back surface on the opposite side to the front surface. The photoelectric converting portion is disposed in the semiconductor layer and is capable of generating charges corresponding to a received amount of light by photoelectric conversion. The charge holding portion is disposed between the front surface and the photoelectric converting portion in the semiconductor layer and is capable of holding charges. The first light-blocking film is positioned between the photoelectric converting portion and the charge holding portion, and has an opening through which charges can pass. The second light-blocking film, when viewed from the photoelectric converting portion, is positioned on the opposite side to the first light-blocking film. Herein, the second light-blocking film of each of the plurality of image plane phase difference detecting pixels is disposed in a first region including an overlap region overlapping the opening in a pixel region occupied by the photoelectric converting portion, or is disposed in a second region of the pixel region other than the first region.
(FR)
L'invention concerne un dispositif d'imagerie ayant d'excellentes caractéristiques de détection de différence de phase. Le dispositif d'imagerie comporte une pluralité de pixels de détection de différence de phase de plan d'image, chacun comprenant : une couche semi-conductrice ; une partie de conversion photoélectrique ; une partie de maintien de charge ; un premier film de blocage de lumière ; et un second film de blocage de lumière. La couche semi-conductrice présente une surface avant et une surface arrière opposée à la surface avant. La partie de conversion photoélectrique est disposée dans la couche semi-conductrice et est capable de générer des charges correspondant à une quantité de lumière reçue par conversion photoélectrique. La partie de maintien de charge est disposée entre la surface avant et la partie de conversion photoélectrique dans la couche semi-conductrice et peut contenir des charges. Le premier film de blocage de lumière est positionné entre la partie de conversion photoélectrique et la partie de maintien de charge, et a une ouverture à travers laquelle des charges peuvent passer. Le second film de blocage de lumière, lorsqu'il est vu depuis la partie de conversion photoélectrique, est positionné sur le côté opposé au premier film de blocage de lumière. Selon l'invention, le second film de blocage de lumière de chacun de la pluralité de pixels de détection de différence de phase de plan d'image est disposé dans une première région comprenant une région de chevauchement chevauchant l'ouverture dans une région de pixel occupée par la partie de conversion photoélectrique, ou est disposé dans une seconde région de la région de pixel autre que la première région.
(JA)
位相差検出特性に優れた撮像装置を提供する。撮像装置は、半導体層と、光電変換部と、電荷保持部と、第1の遮光膜と、第2の遮光膜とをそれぞれ有する複数の像面位相差検出画素を備える。半導体層は、表面と、その表面と反対側の裏面とを含んでいる。光電変換部は、半導体層に設けられ、受光量に応じた電荷を光電変換により生成可能である。電荷保持部は、半導体層のうち表面と光電変換部との間に設けられ、電荷を保持可能である。第1の遮光膜は、光電変換部と電荷保持部との間に位置し、電荷が通過可能な開口を含んでいる。第2の遮光膜は、光電変換部から見て第1の遮光膜と反対側に位置する。ここで、複数の像面位相差検出画素における各々の第2の遮光膜は、いずれも光電変換部が占める画素領域のうちの開口と重なり合う重複領域を含む第1領域に設けられ、または、いずれも画素領域のうちの第1領域以外の第2領域に設けられている。
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