処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020195808 - 半導体装置の製造方法及び積層体

公開番号 WO/2020/195808
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/010413
国際出願日 11.03.2020
IPC
B23K 26/53 2014.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
26レーザービームによる加工,例.溶接,切断または穴あけ
50レーザービームに対して透明である加工物の加工
53加工物の内部に改質または変質部を形成するためのもの,例.破断の起点となる亀裂の形成
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
H01L 21/683 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683支持または把持のためのもの
H01L 21/301 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
出願人
  • リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 文田 祐介 FUMITA, Yusuke
  • 田久 真也 TAKYU, Shinya
  • 愛澤 和人 AIZAWA, Kazuto
  • 長谷川 裕也 HASEGAWA, Yuya
代理人
  • 特許業務法人大谷特許事務所 OHTANI PATENT OFFICE
優先権情報
2019-05859126.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD AND LAMINATED BODY
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET CORPS STRATIFIÉ
(JA) 半導体装置の製造方法及び積層体
要約
(EN)
Provided is a semiconductor device production method with which it is unlikely to cause cracks or defects to a chip being manufactured even in the case when the distance between adjacent diced chips is small. This method is for producing a semiconductor device having a rectangular planar shape, and involves: pasting, on a surface of a wafer including a plurality of rectangular to-be-diced regions arranged in a matrix configuration, an adhesive sheet along a short-side direction of the to-be-diced regions; grinding the rear surface of the wafer having the adhesive sheet pasted thereon; and dividing chips along planned division lines that define the to-be-diced regions.
(FR)
Cette invention concerne un procédé de production de dispositifs à semi-conducteur avec lequel il est peu probable de provoquer des fissures ou des défauts sur une puce en train d'être fabriquée, même dans le cas où la distance entre des puces découpées adjacentes est petite. Ce procédé est destiné à produire un dispositif à semi-conducteur ayant une forme plane rectangulaire, et consiste à : coller, sur une surface d'une tranche comprenant une pluralité de régions rectangulaires à découper agencées selon une configuration de matrice, une feuille adhésive le long d'une direction côté court des régions à découper ; poncer la surface arrière de la tranche ayant la feuille adhésive collée sur celle-ci ; et séparer les puces le long de lignes de séparation planifiées qui définissent les régions à découper.
(JA)
隣接する個片化後のチップ間の距離が小さい場合でも、製造工程中にチップに割れや欠けが生じにくい半導体装置の製造方法を提供する。 平面形状が矩形状の半導体装置の製造方法であって、マトリクス状に並んでいる複数の矩形状の個片化予定領域を含むウエハの表面に、前記個片化予定領域の短辺方向に沿って粘着シートを貼付し、前記粘着シートが貼付されたウエハの裏面を研削するととともに、前記個片化予定領域を画定する分割予定線に沿って前記チップを分割する、半導体装置の製造方法である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報