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1. WO2020195791 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/195791
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/010286
国際出願日 10.03.2020
IPC
G01R 19/165 2006.01
G物理学
01測定;試験
R電気的変量の測定;磁気的変量の測定
19電流または電圧を測定し,またはそれの存在または符号を指示するための装置
165電流または電圧が所定のレベル以上であるかまたは以下であるか,あるいは所定の範囲内にあるかまたは範囲外にあるかの指示
H01L 25/065 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
065装置がグループH01L27/00に分類された型からなるもの
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H01L 21/822 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
H01L 27/04 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 本多 一隆 HONDA, Kazutaka
  • 三浦 亮太郎 MIURA, Ryotaro
  • 早川 貴仁 HAYAKAWA, Takahito
代理人
  • 特許業務法人 サトー国際特許事務所 SATO INTERNATIONAL PATENT FIRM
優先権情報
2019-05850326.03.2019JP
2019-21420727.11.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
A semiconductor device comprising: first semiconductor chips (2, 32, 33, 52, 72, 82, 102, 112, 152,) formed as a result of a plurality of capacitors (Cf, C1–C3, C21, C22) integrating a trench capacitor, said plurality of capacitors constituting filters (13, 58, 121) having as inputs therefor physical amounts pertaining to a plurality of battery cells (Cb) constituting a battery pack (12); second semiconductor chips (3, 53, 83, 113, 153) having circuits (10, 14, 15, 59, 122, 123, 155) formed therein that execute prescribed processing for monitoring the battery pack, on the basis of the filter outputs; and one package (4, 54, 114, 154) housing the first semiconductor chips and the second semiconductor chips.
(FR)
Un dispositif à semi-conducteur comprend : des premières puces semi-conductrices (2, 32, 33, 52, 72, 82, 102, 112, 152) formées suite à l'intégration d'une pluralité de condensateurs (Cf, C1-C3, C21, C22) dans un condensateur de tranchée, ladite pluralité de condensateurs constituant des filtres (13, 58, 121) ayant comme entrées des quantités physiques se rapportant à une pluralité d'éléments de batterie (Cb) constituant un bloc-batterie (12) ; des secondes puces semi-conductrices (3, 53, 83, 113, 153) ayant des circuits (10, 14, 15, 59, 122, 123, 155) formés en leur sein qui exécutent un traitement prescrit pour surveiller le bloc-batterie, sur la base des sorties de filtre ; et un boîtier (4, 54, 114, 154) logeant les premières puces semi-conductrices et les secondes puces semi-conductrices.
(JA)
半導体装置は、組電池(12)を構成する複数の電池セル(Cb)に関する物理量を入力とするフィルタ(13、58、121)を構成する複数のコンデンサ(Cf、C1~C3、C21、C22)がトレンチキャパシタを集積することにより形成された第1半導体チップ(2、32、33、52、72、82、102、112、152)と、前記フィルタの出力に基づいて前記組電池を監視するための所定の処理を実行する回路(10、14、15、59、122、123、155)が形成された第2半導体チップ(3、53、83、113、153)と、前記第1半導体チップおよび前記第2半導体チップを収容する1つのパッケージ(4、54、114、154)と、を備える。
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