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1. WO2020195617 - 固体撮像素子

公開番号 WO/2020/195617
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/008981
国際出願日 03.03.2020
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H04N 5/369 2011.01
H電気
04電気通信技術
N画像通信,例.テレビジョン
5テレビジョン方式の細部
30光または類似信号から電気信号への変換
335固体撮像素子を用いるもの
369固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
G01S 7/4863 2020.01
G物理学
01測定;試験
S無線による方位測定;無線による航行;電波の使用による距離または速度の決定;電波の反射または再輻射を用いる位置測定または存在探知;その他の波を用いる類似の装置
7グループG01S13/00,G01S15/00,G01S17/00による方式の細部
48グループG01S17/00による方式のもの
483パルス方式の細部
486受信機
4861検出,サンプリング,積分,又は読み出しのための回路
4863検出器アレイ,例.電荷転送ゲート
出願人
  • パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 田丸 雅規 TAMARU, Masaki
  • 春日 繁孝 KASUGA, Shigetaka
  • 坂田 祐輔 SAKATA, Yusuke
  • 森 三佳 MORI, Mitsuyoshi
  • 香山 信三 KOYAMA, Shinzo
代理人
  • 特許業務法人北斗特許事務所 HOKUTO PATENT ATTORNEYS OFFICE
優先権情報
2019-06509728.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SOLID-STATE IMAGE ACQUISITION DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ACQUISITION D'IMAGES À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 固体撮像素子
要約
(EN)
The present disclosure addresses the problem of providing a solid-state image acquisition device that is suitable for achieving high sensitivity and high integration. Among a plurality of pixel cells (10) that are formed on a semiconductor substrate (100) in a two-dimensional array, at least one of the pixel cells (10) includes a light receiving part (2), a pixel circuit (30), and a second transistor (4). The light receiving part (2) generates an electrical charge as a result of receiving incident light. The pixel circuit (30) has a plurality of first transistors (3) and an electrical-charge retaining part (5). The electrical-charge retaining part (5) retains the electrical charge generated by the light receiving part (2). The pixel circuit (30) outputs a light-receiving signal in accordance with the electrical charge generated by the light receiving part (2). The second transistor (4) connects a memory part (6) for accumulating the electrical charge and the electrical-charge retaining part (5). In a plan view along the thickness direction of the semiconductor substrate (100), the second transistor (4) is separated from the plurality of first transistors (3) in a second direction that is orthogonal to a first direction in which the plurality of first transistors (3) are arrayed in the pixel cell (10).
(FR)
La présente invention aborde le problème de la fourniture d'un dispositif d'acquisition d'images à semi-conducteur approprié pour obtenir une sensibilité élevée et une haute intégration. Parmi les cellules d'une pluralité de cellules de pixel (10) formées sur un substrat semi-conducteur (100) en une matrice bidimensionnelle, au moins l'une des cellules de pixel (10) comprend une partie de réception de lumière (2), un circuit de pixel (30), et un second transistor (4). La partie de réception de lumière (2) génère une charge électrique suite à une réception de lumière incidente. Le circuit de pixel (30) comporte une pluralité de premiers transistors (3) et une partie de maintien de charge électrique (5). La partie de maintien de charge électrique (5) maintient la charge électrique générée par la partie de réception de lumière (2). Le circuit de pixel (30) émet un signal de réception de lumière conformément à la charge électrique générée par la partie de réception de lumière (2). Le second transistor (4) connecte une partie mémoire (6) d'accumulation de la charge électrique et la partie de maintien de charge électrique (5). Dans une vue en plan dans la direction de l'épaisseur du substrat semi-conducteur (100), le second transistor (4) est séparé de la pluralité de premiers transistors (3) dans une seconde direction qui est orthogonale à une première direction dans laquelle la pluralité de premiers transistors (3) sont disposés en matrice dans la cellule de pixel (10).
(JA)
本開示の課題は、高感度化と高集積化に適した固体撮像素子を提供することである。半導体基板(100)に2次元アレイ状に形成された複数の画素セル(10)のうちの少なくとも1つの画素セル(10)は、受光部(2)と、画素回路(30)と、第2トランジスタ(4)と、を備える。受光部(2)は、入射光を受光して電荷を生成する。画素回路(30)は、複数の第1トランジスタ(3)と、電荷保持部(5)と、を有する。電荷保持部(5)は、受光部(2)で生成された電荷を保持する。画素回路(30)は、受光部(2)で生成される電荷に応じた受光信号を出力する。第2トランジスタ(4)は、電荷を蓄積するためのメモリ部(6)と電荷保持部(5)とを接続する。画素セル(10)では、半導体基板(100)の厚さ方向に沿った平面視において、複数の第1トランジスタ(3)が並んでいる第1方向に直交する第2方向において、第2トランジスタ(4)が複数の第1トランジスタ(3)から離れている。
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