処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020195570 - 太陽電池の製造方法および太陽電池の仕掛品

公開番号 WO/2020/195570
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/008626
国際出願日 02.03.2020
IPC
H01L 31/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H01L 31/0224 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
02細部
0224電極
H01L 31/0747 2012.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04光起電変換装置として使用されるもの
06少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
072電位障壁がPNヘテロ接合型のみからなるもの
0745AIVBIVヘテロ接合からなる,例.Si/Ge,SiGe/SiまたはSi/SiC太陽電池
0747結晶材料とアモルファス材料のヘテロ接合からなる,例.薄い真性層を備えたヘテロ接合またはHIT(登録商標)の太陽電池とのヘテロ結合
出願人
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中野 邦裕 NAKANO Kunihiro
代理人
  • 新山 雄一 NIIYAMA Yuichi
  • 加藤 竜太 KATO Ryuta
優先権情報
2019-05498622.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL AND IN-PROCESS PRODUCT OF SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE CELLULE SOLAIRE, ET PRODUIT DEMI-FINI DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法および太陽電池の仕掛品
要約
(EN)
The present invention provides a method for producing a solar cell, which suppresses performance decrease of a solar cell caused by a patterning process that uses an etching method. A method for producing a solar cell according to the present invention comprises: a non-patterning layer formation step wherein a non-patterning layer, which serves as a base for a patterning layer, is formed on the main surface side of a semiconductor substrate; a resist pattern formation step wherein a patterned resist pattern is formed on the non-patterning layer; and a patterning layer formation step wherein a patterning layer, which is obtained by patterning the non-patterning layer based on the resist pattern, is formed with use of an etching method. In the resist pattern formation step, a resist agent is printed with use of a screen printing method, so that the printed resist agents are separated from each other at a predetermined interval; and the predetermined interval is such a distance that the separated resist agents are connected with each other due to the fluidity of the resist agents so as to form a resist pattern 40, and the thickness of a connection part 41, where the separated resist agents are connected with each other, is thinner than the thicknesses of portions other than the connection part 41 in the resist pattern 40.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de production d'une cellule solaire, qui supprime une diminution de performance d'une cellule solaire provoquée par un processus de formation de motifs qui utilise un procédé de gravure. Un procédé de production d'une cellule solaire selon la présente invention comprend : une étape de formation de couche de non-formation de motifs dans laquelle une couche de non-formation de motifs, qui sert de base pour une couche de formation de motifs, est formée sur le côté de surface principale d'un substrat semi-conducteur ; une étape de formation de motifs de réserve dans laquelle un motif de réserve à motifs est formé sur la couche de non-formation de motifs ; et une étape de formation de couche de formation de motifs dans laquelle une couche de formation de motifs, qui est obtenue par formation de motifs de la couche de non-formation de motifs sur la base du motif de réserve, est formée à l'aide d'un procédé de gravure. Dans l'étape de formation de motifs de réserve, un agent de réserve est imprimé à l'aide d'un procédé d'impression d'écran, de telle sorte que les agents de réserve imprimés sont séparés les uns des autres à un intervalle prédéterminé ; et l'intervalle prédéterminé étant une distance telle que les agents de réserve séparés sont connectés les uns aux autres en raison de la fluidité des agents de réserve de manière à former un motif de réserve 40, et l'épaisseur d'une partie de connexion 41, où les agents de réserve séparés sont connectés les uns aux autres, est plus mince que les épaisseurs de parties autres que la partie de connexion 41 dans le motif de réserve 40.
(JA)
エッチング法を用いたパターニングプロセスに起因する太陽電池の性能低下を抑制する太陽電池の製造方法を提供する。太陽電池の製造方法は、半導体基板の主面側に、パターン化層の基となる非パターン化層を形成する非パターン化層形成工程と、非パターン化層上に、パターン化されたレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、エッチング法を用いて、レジストパターンに基づいて非パターン化層をパターン化したパターン化層を形成するパターン化層形成工程とを含み、レジストパターン形成工程では、スクリーン印刷法を用いて、所定間隔だけ分離するようにレジスト剤を印刷し、所定間隔とは、レジスト剤の流動性により、分離したレジスト剤同士が連結してレジストパターン40を形成し、レジストパターン40において分離したレジスト剤同士が連結した連結部分41の厚さが連結部分41以外の厚さよりも薄くなる、間隔である。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報