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1. WO2020195497 - 半導体膜

公開番号 WO/2020/195497
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/007842
国際出願日 26.02.2020
IPC
C30B 29/16 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
16酸化物
C30B 25/18 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
18基板によって特徴づけられたもの
H01L 21/365 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
365固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 渡邊 守道 WATANABE Morimichi
  • 福井 宏史 FUKUI Hiroshi
代理人
  • 高村 雅晴 TAKAMURA Masaharu
  • 加島 広基 KASHIMA Hiromoto
  • 長谷川 悠 HASEGAWA Yu
優先権情報
2019-06360428.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR FILM
(FR) FILM SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体膜
要約
(EN)
Provided is an α-Ga2O3 semiconductor film in which cracking is reduced and cracking tends not to occur. This semiconductor film has a corundum-type crystal structure formed from α-Ga2O3 or an α-Ga2O3 solid solution. This semiconductor film has voids, and the gas remaining inside the voids does not contain water.
(FR)
L'invention concerne un film semi-conducteur α-Ga2O3 dans lequel la fissuration est réduite et la fissuration a tendance à ne pas se produire. Le présent film semi-conducteur a une structure cristalline de type corindon formée à partir d'α-Ga2O3 ou d'une solution solide α-Ga2O3. Le présent film semi-conducteur présente des vides, et le gaz restant à l'intérieur des vides ne contient pas d'eau.
(JA)
クラックが低減され、かつ、クラックが生じにくいα-Ga系半導体膜が提供される。この半導体膜は、α-Ga、又はα-Ga系固溶体で構成されるコランダム型結晶構造を有する。半導体膜はボイドを含有しており、ボイド内に残留するガスが水を含まない。
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