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1. WO2020195474 - 基板処理方法および基板処理装置

公開番号 WO/2020/195474
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/007669
国際出願日 26.02.2020
IPC
F26B 21/14 2006.01
F機械工学;照明;加熱;武器;爆破
26乾燥
B固体材料または固形物から液体を除去することによる乾燥
21固体材料または物体を乾燥するため空気およびガスを供給し,制御する装置
14空気または水蒸気以外のガスまたは蒸気を用いるもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • ▲高▼橋 弘明 TAKAHASHI, Hiroaki
  • 白川 元 SHIRAKAWA, Hajime
代理人
  • 振角 正一 FURIKADO, Shoichi
  • 大西 一正 OHNISHI, Kazumasa
優先権情報
2019-05873526.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法および基板処理装置
要約
(EN)
This substrate processing method comprises: a step (step S105) in which, at a first processing part, after a wet process (step S104) has been performed on a substrate that has a pattern of recesses and protrusions formed on the surface thereof, the surface of the substrate is coated with a liquid film that includes an organic solvent, and at least the surface of the liquid film is solidified to form a solidified film; steps (steps S106, S107) in which the substrate that is coated with the solidified film is transported to a second processing part; and a step (step S108) in which, at the second processing part, a dissolution liquid is supplied to the solidified film to dissolve the solidified film, and the dissolution liquid is removed from the surface of the substrate to dry the substrate. The present invention makes it possible to ensure easy transport between processing units while reliably preventing collapse of the pattern of recesses and protrusions formed on the surface of the substrate.
(FR)
L'invention concerne un procédé de traitement de substrat comprenant : une étape (étape S105) dans laquelle, au niveau d'une première partie de traitement, après qu'un processus humide (étape S104) a été effectué sur un substrat qui a un motif d'évidements et de saillies formé sur sa surface, la surface du substrat est revêtue d'un film liquide qui comprend un solvant organique, et au moins la surface du film liquide est solidifiée pour former un film solidifié ; des étapes (étapes S106, S107) dans lesquelles le substrat qui est revêtu du film solidifié est transporté vers une seconde partie de traitement ; et une étape (étape S108) dans lequel, au niveau de la seconde partie de traitement, un liquide de dissolution est fourni au film solidifié pour dissoudre le film solidifié et le liquide de dissolution est retiré de la surface du substrat pour sécher le substrat. La présente invention permet d'assurer un transport facile entre des unités de traitement tout en empêchant de manière fiable l'effondrement du motif d'évidements et de saillies formé sur la surface du substrat.
(JA)
本発明に係る基板処理方法は、第1処理部で、表面に凹凸パターンが形成された基板に湿式処理(ステップS104)を施した後、基板の表面を有機溶剤を含む液膜で覆い、該液膜の少なくとも表面を凝固させて凝固膜を形成する工程(ステップS105)と、凝固膜で覆われた基板を第2処理部へ搬送する工程(ステップS106、S107)と、第2処理部で、凝固膜に対し溶解液を供給して凝固膜を溶解し、基板の表面から溶解液を除去して基板を乾燥させる工程(ステップS108)とを備える。基板の表面に形成された凹凸パターンの倒壊を確実に防止しながら、処理ユニット間での搬送の容易さを確保することができる。
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