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1. WO2020195282 - 半導体レーザ素子

公開番号 WO/2020/195282
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/005427
国際出願日 13.02.2020
IPC
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H01S 5/022 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
022マウント;ハウジング
H01S 5/22 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
20半導体本体の光を導波する構造または形状
22リッジまたはストライプ構造を有するもの
H01S 5/34 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
30活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ,多重量子井戸型レーザ,傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ[7]
H01S 5/343 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
30活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ,多重量子井戸型レーザ,傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ[7]
343A↓I↓I↓IB↓V族化合物におけるもの,例.AlGaAsレーザ
出願人
  • パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 萩野 裕幸 HAGINO, Hiroyuki
代理人
  • 新居 広守 NII, Hiromori
  • 寺谷 英作 TERATANI, Eisaku
  • 道坂 伸一 MICHISAKA, Shinichi
優先権情報
2019-05689925.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LASER ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ素子
要約
(EN)
This semiconductor laser element (2) has: a first semiconductor layer (20) of a first conductivity type; a light-emitting layer (30) that is disposed above the first semiconductor layer (20); a second semiconductor layer (40) of a second conductivity type, which is disposed above the light-emitting layer (30) and has a waveguide portion (40a) through which light generated in the light-emitting layer (30) propagates; a p-side electrode (51) that is disposed above the waveguide portion (40a); a base (101) that is disposed so as to face the p-side electrode (51); a conductive member that is disposed between the p-side electrode (51) and the base (101); and a void part that is disposed in an interior region of the conductive member and has a thermal resistance higher than that of the conductive member.
(FR)
La présente invention porte sur un élément laser à semi-conducteur comprenant : une première couche semi-conductrice (20) d'un premier type de conductivité ; une couche électroluminescente (30) qui est disposée au-dessus de la première couche semi-conductrice (20) ; une seconde couche semi-conductrice (40) d'un second type de conductivité, qui est disposée au-dessus de la couche électroluminescente (30) et comporte une partie guide d'ondes (40a) à travers laquelle la lumière générée dans la couche électroluminescente (30) se propage ; une électrode côté p (51) qui est disposée au-dessus de la partie guide d'ondes (40a) ; une base (101) qui est disposée de manière à faire face à l'électrode côté p (51) ; un élément conducteur qui est disposé entre l'électrode côté p (51) et la base (101) ; et une partie vide qui est disposée dans une région intérieure de l'élément conducteur et présente une résistance thermique supérieure à celle de l'élément conducteur.
(JA)
半導体レーザ素子(2)は、第1導電型の第1半導体層(20)と、第1半導体層(20)の上方に配置される発光層(30)と、発光層(30)の上方に配置され、発光層(30)において生成された光が伝播する導波路部(40a)を有する第2導電型の第2半導体層(40)と、導波路部(40a)の上方に配置されるp側電極(51)と、p側電極(51)と対向して配置される基台(101)と、p側電極(51)と基台(101)との間に配置される導電性部材と、導電性部材の内部領域に配置され、導電性部材より熱抵抗が高い空隙部とを備える。
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