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1. WO2020195197 - SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板

公開番号 WO/2020/195197
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/004321
国際出願日 05.02.2020
IPC
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/203 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
出願人
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 松島 潔 MATSUSHIMA Kiyoshi
  • 吉川 潤 YOSHIKAWA Jun
  • 渡邊 守道 WATANABE Morimichi
  • 宮風 里紗 MIYAKAZE Risa
代理人
  • 高村 雅晴 TAKAMURA Masaharu
  • 加島 広基 KASHIMA Hiromoto
  • 長谷川 悠 HASEGAWA Yu
優先権情報
2019-06150327.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SIC COMPOSITE SUBSTRATE AND COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE AU SIC ET SUBSTRAT COMPOSITE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板
要約
(EN)
Provided is a SiC composite substrate in which delamination, fracture, or cracks of the substrate do not tend to occur when subjected to grinding, polishing and other processes. This SiC composite substrate comprises a biaxially oriented SiC layer in which SiC is oriented in a c-axis direction and an a-axis direction, and a SiC polycrystalline layer that is provided on one surface of the biaxially oriented SiC layer. The bonded interface of the biaxially oriented SiC layer and the SiC polycrystalline layer has surface irregularities, and the volume of the irregularities is 1 to 200 μm.
(FR)
L'invention concerne un substrat composite au SiC dans lequel un délaminage, une fracture ou des fissures du substrat n'ont pas tendance à se produire lorsqu'il est soumis à un meulage, un polissage et d'autres processus. Ce substrat composite au SiC comprend une couche de SiC à orientation biaxiale dans laquelle du SiC est orienté dans une direction d'axe c et une direction d'axe a, et une couche de SiC polycristallin qui est disposée sur une surface de la couche de SiC à orientation biaxiale. L'interface de liaison de la couche de SiC à orientation biaxiale et de la couche de SiC polycristallin présente des irrégularités de surface, et le volume des irrégularités est de 1 à 200 µm.
(JA)
研削及び研磨等の加工を施しても、基板の層間剥離、割れ及びクラックが生じにくい、SiC複合基板が提供される。このSiC複合基板は、SiCがc軸方向及びa軸方向ともに配向している二軸配向SiC層と、二軸配向SiC層の一面側に設けられるSiC多結晶層とを備えたものであり、二軸配向SiC層及びSiC多結晶層の接合界面が凹凸形状を有し、該凹凸形状の凹凸量が1~200μmである。
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