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1. WO2020195196 - SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板

公開番号 WO/2020/195196
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/004320
国際出願日 05.02.2020
IPC
H01L 21/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
H01L 21/20 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
H01L 21/203 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
203物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
C30B 29/36 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
36炭化物
出願人
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 松島 潔 MATSUSHIMA Kiyoshi
  • 吉川 潤 YOSHIKAWA Jun
  • 渡邊 守道 WATANABE Morimichi
  • 宮風 里紗 MIYAKAZE Risa
代理人
  • 高村 雅晴 TAKAMURA Masaharu
  • 加島 広基 KASHIMA Hiromoto
  • 長谷川 悠 HASEGAWA Yu
優先権情報
2019-06150227.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SIC COMPOSITE SUBSTRATE AND COMPOSITE SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE DE SIC ET SUBSTRAT COMPOSITE POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) SiC複合基板及び半導体デバイス用複合基板
要約
(EN)
Provided is a SiC composite substrate which is less susceptible to interlayer peeling, fracturing and cracking, even if subjected to machining such as grinding or polishing. This SiC composite substrate is equipped with a biaxially-oriented SiC layer in which SiC is oriented in both the c-axis direction and the a-axis direction, and a SiC polycrystalline layer which is provided on one side of the biaxially-oriented SiC layer. There are pores in the SiC composite substrate.
(FR)
L'invention concerne un substrat composite de SiC qui est moins sensible à l'écaillage, la fracturation et la fissuration entre couches, même s'il est soumis à un usinage tel qu'un meulage ou un polissage. Ce substrat composite de SiC est équipé d'une couche de SiC à orientation biaxiale dans laquelle le SiC est orienté à la fois dans la direction de l'axe c et dans la direction de l'axe a, et une couche polycristalline de SiC qui est disposée sur un côté de la couche de SiC à orientation biaxiale. Il y a des pores dans le substrat composite de SiC.
(JA)
研削及び研磨等の加工を施しても、基板の層間剥離、割れ及びクラックが生じにくい、SiC複合基板が提供される。このSiC複合基板は、SiCがc軸方向及びa軸方向ともに配向している二軸配向SiC層と、二軸配向SiC層の一面側に設けられるSiC多結晶層とを備えたものであり、SiC複合基板中には気孔が存在する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報