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1. WO2020195176 - 基板処理方法

公開番号 WO/2020/195176
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/004039
国際出願日 04.02.2020
IPC
G03F 7/42 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
42剥離又はそのための処理剤
H01L 21/027 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
027その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループH01L21/18またはH01L21/34に分類されないもの
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • 株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 山口 貴大 YAMAGUCHI Takahiro
  • 新庄 淳一 SHINJO Junichi
  • 中野 佑太 NAKANO Yuta
  • 澤崎 尚樹 SAWAZAKI Naoki
  • 阿野 誠士 ANO Seiji
  • 岩崎 晃久 IWASAKI Akihisa
代理人
  • 吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi
  • 有田 貴弘 ARITA Takahiro
優先権情報
2019-05514422.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE TREATMENT METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法
要約
(EN)
When it is intended to remove a resist film relying only on the decomposition activity of ozone, there is a problem that the time of period required for the treatment is prolonged or a problem that, although the detachment of the resist film is promoted by swelling the resist film, the degree of progression of the swelling still has much room for improvement. The purpose of the present invention is to solve these problems and provide a substrate treatment method whereby it becomes possible to remove a resist film from a substrate within a short time while reducing the burden of the treatment of liquid waste. The substrate treatment method comprises the steps of: bringing a resist film on a substrate (901) into contact with an ozone-containing aqueous solution (920); and bringing a part (P1) of the resist film which has been already in contact with the ozone-containing aqueous solution (920) into contact with an ammonia-containing aqueous solution (930) that contains ammonia at a higher concentration compared with the ozone-containing aqueous solution (920).
(FR)
Lorsqu'il s'agit de retirer un film de réserve en se fiant uniquement à l'activité de décomposition de l'ozone, il existe un problème selon lequel le temps requis pour le traitement est prolongé ou un problème selon lequel le degré de progression du gonflement du film de réserve nécessite une amélioration considérable, et ce même si le détachement du film de réserve est favorisé par le gonflement de celui-ci. Le but de la présente invention est de résoudre ces problèmes et de fournir un procédé de traitement de substrat grâce auquel il devient possible de retirer un film de réserve d'un substrat en un court laps de temps tout en réduisant le fardeau du traitement de déchets liquides. Le procédé de traitement de substrat comprend les étapes consistant à : mettre un film de réserve situé sur un substrat (901) en contact avec une solution aqueuse contenant de l'ozone (920) ; et mettre une partie (P1) du film de réserve qui a été déjà en contact avec la solution aqueuse contenant de l'ozone (920) en contact avec une solution aqueuse contenant de l'ammoniac (930) qui contient de l'ammoniac dans une concentration plus élevée que celle de la solution aqueuse contenant de l'ozone (920).
(JA)
オゾンの分解作用にのみ頼ってレジスト膜を除去しようとすると、処理時間が長くなってしまうという課題や、レジスト膜を膨潤させることによって、剥離が促進されるが、膨潤の進行の程度に、まだ大きな改善の余地があるという課題があり、これら課題を解決して、廃液処理の負担を抑えつつ、基板からレジスト膜を短時間で除去することができる基板処理方法を提供することを目的とする。 基板処理方法は、基板(901)上のレジスト膜にオゾン含有水溶液(920)を接触させる工程、及びレジスト膜のうちオゾン含有水溶液(920)に既に接触した部分(P1)に、オゾン含有水溶液(920)に比して高濃度でアンモニアを含有するアンモニア含有水溶液(930)を接触させる工程を、備える。
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