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1. WO2020195151 - 半導体装置及びこれを備えた電子機器

公開番号 WO/2020/195151
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/003588
国際出願日 31.01.2020
IPC
H01L 43/08 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08磁界制御抵抗
G11C 17/16 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
17一度だけプログラム可能なリードオンリメモリ;半永久的記憶装置,例.手でリプレースできる情報カード
14その記憶内容が,結合素子の状態を永久に変えることによって連結リンクを選択的に設定,切断または変更することにより決められるもの,例.PROM
16電気的に溶断可能なリンクを用いるもの
H01L 21/8239 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
701つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
771つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232電界効果技術
8234MIS技術
8239メモリ構造
H01L 27/105 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04基板が半導体本体であるもの
10複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105電界効果構成部品を含むもの
G11C 11/56 2006.01
G物理学
11情報記憶
C静的記憶
11特定の電気的または磁気的記憶素子の使用によって特徴づけられたデジタル記憶装置;そのための記憶素子
56ステップによって表わされる3以上の安定状態を有する記憶素子を用いるもの,例.電圧によるもの,電流によるもの,位相によるもの,周波数によるもの
出願人
  • ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 岡 幹生 OKA Mikio
  • 神田 泰夫 KANDA Yasuo
  • 野口 賢治 NOGUCHI Kenji
代理人
  • 田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu
  • 小林 龍 KOBAYASHI Toru
  • 森 哲也 MORI Tetsuya
優先権情報
2019-05529022.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS COMPRISING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE LE COMPRENANT
(JA) 半導体装置及びこれを備えた電子機器
要約
(EN)
Provided are: a semiconductor device which is capable of efficiently increasing the capacity of a storage element to be mounted while saving space; and an electronic apparatus comprising the same. The semiconductor device comprises: a storage element which has a first conducting layer, a second conducting layer, and an insulating layer, the first conducting layer and the second conducting layer being stacked via at least the insulating layer, and which has a filament that generates at least three distinguishable resistance states by changing the combination of the state of the first conducting layer, the state of the second conducting layer, and the state of the insulating layer; and a write portion which generates at least three distinguishable resistance states by applying a blow current to the storage element.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est capable d'augmenter efficacement la capacité d'un élément de stockage à être monter tout en économisant l'espace; et un appareil électronique le comprenant. Le dispositif à semi-conducteur comprend : un élément de stockage qui a une première couche conductrice, une seconde couche conductrice et une couche isolante, la première couche conductrice et la seconde couche conductrice étant empilées par l'intermédiaire d'au moins la couche isolante, et qui a un filament qui génère au moins trois états de résistance distincts en changeant la combinaison de l'état de la première couche conductrice, de l'état de la seconde couche conductrice, et de l'état de la couche isolante; et une partie d'écriture qui génère au moins trois états de résistance distincts en appliquant un courant de soufflage à l'élément de stockage.
(JA)
搭載する記憶素子の容量を省スペースで効率よく増加させることのできる半導体装置及びこれを備えた電子機器を提供する。半導体装置は、第1導電層と、第2導電層と、絶縁層とを有し、第1導電層と第2導電層とは少なくとも絶縁層を介して積層されており、第1導電層の状態と、第2導電層の状態と、絶縁層の状態との組合せを変えることにより、少なくとも3つの識別可能な抵抗状態が生成されるフィラメントを有した記憶素子と、記憶素子に対してブロー電流を印加して少なくとも3つの識別可能な抵抗状態を生成する書き込み部とを備える。
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