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1. WO2020195140 - パワー半導体装置

公開番号 WO/2020/195140
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/003314
国際出願日 30.01.2020
IPC
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人
  • 日立オートモティブシステムズ株式会社 HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 長崎 仁徳 NAGASAKI Hironori
  • 加藤 徹 KATO Toru
  • 平尾 高志 HIRAO Takashi
  • 田中 信太朗 TANAKA Shintaro
代理人
  • 戸田 裕二 TODA Yuji
優先権情報
2019-06219628.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) パワー半導体装置
要約
(EN)
This power semiconductor device is provided with: a first submodule having a first power semiconductor element; a second submodule having a second power semiconductor element; a positive-electrode-side conductor part and a negative-electrode-side conductor part; an intermediate substrate in which a negative-electrode-side opposing part opposing the negative-electrode-side conductor part with the first submodule therebetween and a positive-electrode-side opposing part opposing the positive-electrode-side conductor part with the second submodule therebetween are formed; and a plurality of signal terminals that transmit signals for controlling the first power semiconductor element or the second power semiconductor element. The second submodule is disposed such that the orientations of electrode surfaces of the second power semiconductor element and the first power semiconductor element are reversed to each other. A signal relay conductor part is disposed in a space that is in the height direction of the second submodule and that is present between a portion of the second submodule and the intermediate substrate. The intermediate substrate has wires that are connected to the signal relay conductor part and that are electrically connected to the signal terminals. Accordingly, productivity of the power semiconductor device is improved while increase of inductance of a main circuit is suppressed.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur de puissance comprenant : un premier sous-module ayant un premier élément semi-conducteur de puissance ; un second sous-module ayant un second élément semi-conducteur de puissance ; une partie conductrice côté électrode positive et une partie conductrice côté électrode négative ; un substrat intermédiaire dans lequel une partie opposée côté électrode négative opposée à la partie conductrice côté électrode négative avec le premier sous-module entre celles-ci et une partie opposée côté électrode positive opposée à la partie conductrice côté électrode positive avec le second sous-module entre celles-ci sont formées ; et une pluralité de bornes de signal qui transmettent des signaux pour commander le premier élément semi-conducteur de puissance ou le second élément semi-conducteur de puissance. Le second sous-module est disposé de telle sorte que les orientations des surfaces d'électrode du second élément semi-conducteur de puissance et du premier élément semi-conducteur de puissance sont inversées les unes par rapport aux autres. Une partie conductrice de relais de signal est disposée dans un espace qui est dans la direction de la hauteur du second sous-module et qui est présente entre une partie du second sous-module et le substrat intermédiaire. Le substrat intermédiaire comporte des fils qui sont connectés à la partie conductrice de relais de signal et qui sont électriquement connectés aux bornes de signal. En conséquence, la productivité du dispositif semi-conducteur de puissance est améliorée tandis que l'augmentation de l'inductance d'un circuit principal est supprimée.
(JA)
第1パワー半導体素子を有する第1サブモジュールと、第2パワー半導体素子を有する第2サブモジュールと、正極側導体部及び負極側導体部と、第1サブモジュールを挟んで負極側導体部と対向する負極側対向部と第2サブモジュールを挟んで正極側導体部と対向する正極側対向部を形成する中間基板と、第1パワー半導体素子又は第2パワー半導体素子を制御するため信号を伝達する複数の信号端子と、を備えたパワー半導体装置であって、第2サブモジュールは、第2パワー半導体素子の電極面と第1パワー半導体素子の電極面の向きが反転するように配置され、第2サブモジュールの高さ方向であって当該第2サブモジュールの一部と中間基板に挟まれた空間には信号中継導体部が配置され、中間基板は、信号中継導体部と接続されかつ信号端子と電気的に接続される配線を有する。これにより、主回路インダクタンスの増大を抑制しながら、パワー半導体装置の生産性を向上させる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報