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1. WO2020194944 - 酸化ガリウム基板の製造方法、および酸化ガリウム基板用の研磨スラリー

公開番号 WO/2020/194944
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/050180
国際出願日 20.12.2019
IPC
C09K 3/14 2006.01
C化学;冶金
09染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3物質であって,他に分類されないもの
14抗スリップ物質;研摩物質
B24B 37/00 2012.01
B処理操作;運輸
24研削;研磨
B研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37ラッピング機械または装置;附属装置
H01L 21/304 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人
  • AGC株式会社 AGC INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 平林 佑介 HIRABAYASHI, Yusuke
代理人
  • 伊東 忠重 ITOH, Tadashige
  • 伊東 忠彦 ITOH, Tadahiko
優先権情報
2019-06174827.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR PRODUCING GALLIUM OXIDE SUBSTRATE, AND POLISHING SLURRY FOR GALLIUM OXIDE SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT D'OXYDE DE GALLIUM ET SUSPENSION DE POLISSAGE POUR SUBSTRAT D'OXYDE DE GALLIUM
(JA) 酸化ガリウム基板の製造方法、および酸化ガリウム基板用の研磨スラリー
要約
(EN)
A method for producing a gallium oxide substrate which involves polishing the gallium oxide substrate by using a polishing slurry, wherein the polishing slurry contains water and manganese dioxide particles.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de production d'un substrat d'oxyde de gallium qui consiste à polir le substrat d'oxyde de gallium à l'aide d'une suspension de polissage, la suspension de polissage contenant de l'eau et des particules de dioxyde de manganèse.
(JA)
研磨スラリーを用いて酸化ガリウム基板を研磨することを有し、前記研磨スラリーは、二酸化マンガンの粒子と、水とを含む、酸化ガリウム基板の製造方法。
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