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1. WO2020194810 - 共振装置及び共振装置製造方法

公開番号 WO/2020/194810
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/040421
国際出願日 15.10.2019
IPC
H03H 9/24 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
24圧電,電わい,または磁わい以外の材料からなる共振器の構造上の特徴
H03H 3/007 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
3インピーダンス回路網,共振回路,共振器の製造に特有な装置または工程
007電気機械的共振器または回路網の製造のためのもの
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 福光 政和 FUKUMITSU, Masakazu
  • 樋口 敬之 HIGUCHI, Yoshiyuki
代理人
  • 稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki
  • 大貫 敏史 ONUKI, Toshifumi
優先権情報
2019-05826726.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) RESONANCE DEVICE AND RESONANCE DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RÉSONANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF DE RÉSONANCE
(JA) 共振装置及び共振装置製造方法
要約
(EN)
Provided are: a resonance device in which it is possible to minimize loss of vacuum within a vibration space of a resonator; and a production method for such a resonance device. This resonance device 1 is provided with: a MEMS substrate 50 that includes a resonator 10; an upper lid 30 that includes a silicon oxide film L31 in a surface facing the MEMS substrate 50; and a joint part 60 which joins the MEMS substrate 50 and the upper lid 30 in such a manner as to seal the vibration space of the resonator 10. The silicon oxide film L31 is formed in a part of the area surrounding the vibration space when the upper lid 30 is viewed in a planar view, and includes a through-hole TH1 that penetrates the film and reaches the rear surface of the upper lid 30. The through-hole TH1 includes a first metal layer 80.
(FR)
L'invention concerne : un dispositif de résonance dans lequel il est possible de réduire au minimum la perte de vide dans un espace de vibration d'un résonateur ; et un procédé de production pour un tel dispositif de résonance. Ce dispositif de résonance 1 comprend : un substrat MEMS 50 qui comprend un résonateur 10 ; un couvercle supérieur 30 qui comprend un film d'oxyde de silicium L31 dans une surface faisant face au substrat MEMS 50 ; et une partie de joint 60 qui relie le substrat MEMS 50 et le couvercle supérieur 30 de manière à sceller l'espace de vibration du résonateur 10. Le film d'oxyde de silicium L31 est formé dans une partie de la zone entourant l'espace de vibration lorsque le couvercle supérieur 30 est visualisé dans une vue en plan, et comprend un trou traversant TH1 qui pénètre dans le film et atteint la surface arrière du couvercle supérieur 30. Le trou traversant TH1 comprend une première couche métallique 80.
(JA)
共振子の振動空間における真空度の低下を抑制することのできる共振装置及び共振装置製造方法を提供する。共振装置1は、共振子10を含むMEMS基板50と、MEMS基板50に対向する面に酸化ケイ素膜L31を含む上蓋30と、共振子10の振動空間を封止するように、MEMS基板50と上蓋30とを接合する接合部60と、を備え、酸化ケイ素膜L31は、上蓋30を平面視したときに振動空間の周囲の少なくとも一部に形成され、上蓋30の裏面まで貫通する貫通孔TH1を含み、貫通孔TH1は、第1金属層80を含む。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報