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1. WO2020194803 - 下地基板及びその製造方法

公開番号 WO/2020/194803
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/038618
国際出願日 30.09.2019
IPC
C30B 29/16 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10無機化合物または組成物
16酸化物
C30B 25/02 2006.01
C化学;冶金
30結晶成長
B単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02エピタキシャル層成長
H01L 21/365 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まないH01L21/06,H01L21/16およびH01L21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
365固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
出願人
  • 日本碍子株式会社 NGK INSULATORS, LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 渡邊 守道 WATANABE Morimichi
  • 吉川 潤 YOSHIKAWA Jun
代理人
  • 高村 雅晴 TAKAMURA Masaharu
  • 加島 広基 KASHIMA Hiromoto
  • 長谷川 悠 HASEGAWA Yu
優先権情報
2019-06360128.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) GROUND SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) SUBSTRAT DE SOL ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 下地基板及びその製造方法
要約
(EN)
Provided is a high-quality ground substrate comprising an orientation layer that is used for growing a crystal of a nitride or oxide of a group 13 element. The number of crystal defects (dislocations) in the orientation layer is significantly reduced. This ground substrate comprises an orientation layer that is used for growing a crystal of a nitride or oxide of a group 13 element. The orientation layer surface that is used for crystal growth is constituted from a material having a corundum type crystal structure and having a larger a-axis length and/or c-axis length than sapphire. The orientation layer contains: a material selected from the group consisting of α-Cr2O3, α-Fe2O3, α-Ti2O3, α-V2O3 and α-Rh2O3; or a solid solution containing two or more compounds selected from the group consisting of α-Al2O3, α-Cr2O3, α-Fe2O3, α-Ti2O3, α-V2O3 and α-Rh2O3. The half value width of an X-Ray rocking curve of the (104) surface of the corundum type crystal structure is 500 arcsec or less.
(FR)
La présente invention concerne un substrat de sol de haute qualité comprenant une couche d'orientation qui est utilisée pour faire croître un cristal d'un nitrure ou d'un oxyde d'un élément du groupe 13. Le nombre de défauts cristallins (dislocations) dans la couche d'orientation est significativement réduit. Ce substrat de sol comprend une couche d'orientation qui est utilisée pour faire croître un cristal d'un nitrure ou d'un oxyde d'un élément du groupe 13. La surface de couche d'orientation qui est utilisée pour la croissance cristalline est constituée d'un matériau ayant une structure cristalline de type corindon et ayant une longueur d'axe a et/ou une longueur d'axe c plus grandes que le saphir. La couche d'orientation contient : un matériau choisi dans le groupe constitué par α-Cr2O3, α-Fe2O3, α-Ti2O3, α-V2O3 et α-Rh2O3 ; ou une solution solide contenant au moins deux composés choisis dans le groupe constitué par α-Al2O3, α-Cr2O3, α-Fe2O3, α-Ti2O3, α-V2O3 et α-Rh2O3. La largeur de demi-valeur d'une courbe d'oscillation de rayons X de la surface (104) de la structure cristalline de type corindon est d'au moins 500 arcsec.
(JA)
13族元素の窒化物又は酸化物の結晶成長のために用いられる配向層を備え、当該配向層における結晶欠陥(転位)が顕著に低減された、高品質の下地基板を提供する。この下地基板は、13族元素の窒化物又は酸化物の結晶成長のために用いられる配向層を備えた下地基板であって、配向層の結晶成長に用いられる側の表面が、サファイアよりも大きいa軸長及び/又はc軸長を有するコランダム型結晶構造を有する材料で構成されており、配向層が、α-Cr、α-Fe、α-Ti、α-V、及びα-Rhからなる群から選択される材料、又はα-Al、α-Cr、α-Fe、α-Ti、α-V、及びα-Rhからなる群から選択される2種以上を含む固溶体を含み、コランダム型結晶構造の(104)面のX線ロッキングカーブ半値幅が500arcsec.以下である。
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