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1. WO2020194789 - ターゲット材とバッキングプレートとの接合体、および、ターゲット材とバッキングプレートとの接合体の製造方法

公開番号 WO/2020/194789
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/035045
国際出願日 05.09.2019
IPC
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
B23K 20/00 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
20加熱するかまたは加熱することなく,衝撃または他の圧力を加えることによる非電気的接合,例.クラッド法または被せ金法
H01L 21/285 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28H01L21/20~H01L21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283電極用の導電または絶縁材料の析出
285気体または蒸気からの析出,例.凝結
出願人
  • JX金属株式会社 JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 永津 光太郎 NAGATSU,Kotaro
  • 山田 裕貴 YAMADA,Yuki
代理人
  • アクシス国際特許業務法人 AXIS PATENT INTERNATIONAL
優先権情報
2019-06475728.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) JOINT BODY OF TARGET MATERIAL AND BACKING PLATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING JOINT BODY OF TARGET MATERIAL AND BACKING PLATE
(FR) CORPS DE JOINT DE MATÉRIAU CIBLE ET DE PLAQUE DE SUPPORT, ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN CORPS DE JOINT DE MATÉRIAU CIBLE ET DE PLAQUE DE SUPPORT
(JA) ターゲット材とバッキングプレートとの接合体、および、ターゲット材とバッキングプレートとの接合体の製造方法
要約
(EN)
This joint body of a target material and a backing plate, has a target material containing Ta and a backing plate joined to the target material, wherein the tensile strength between the target material and the backing plate is 20 kg/mm2 or more, and the average hydrogen content of the target material is 7 vol. ppm or less.
(FR)
La présente invention concerne un corps de joint d'un matériau cible et d'une plaque de support, ledit corps de joint comprenant un matériau cible contenant du tantale (Ta) et une plaque de support jointe au matériau cible, la résistance à la traction entre le matériau cible et la plaque de support étant égale ou supérieure à 20 kg/mm2 et la teneur moyenne en hydrogène du matériau cible étant inférieure ou égale à 7 % en volume.
(JA)
ターゲット材とバッキングプレートとの接合体であって、Taを含有するターゲット材と、前記ターゲット材に接合されたバッキングプレートとを有し、前記ターゲット材とバッキングプレートとの引張強度が、20kg/mm2以上であり、前記ターゲット材の平均水素含有量が7体積ppm以下である、ターゲット材とバッキングプレートとの接合体である。
他の公開
EP19888257.3
EP2019888257
IL275644
KRKR1020207012388
国際事務局に記録されている最新の書誌情報