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1. WO2020194592 - 接合構造体およびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法

公開番号 WO/2020/194592
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/013325
国際出願日 27.03.2019
IPC
H01L 21/52 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50サブグループH01L21/06~H01L21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52容器中への半導体本体のマウント
B23K 35/22 2006.01
B処理操作;運輸
23工作機械;他に分類されない金属加工
Kハンダ付またはハンダ離脱;溶接;ハンダ付または溶接によるクラッドまたは被せ金;局部加熱による切断,例.火炎切断:レーザービームによる加工
35ハンダ付,溶接または切断のために用いられる溶加棒,溶接電極,材料,媒剤
22材料の組成または性質を特徴とするもの
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 山▲崎▼ 浩次 YAMAZAKI, Koji
  • 田村 嘉男 TAMURA, Yoshio
代理人
  • 村上 加奈子 MURAKAMI, Kanako
  • 松井 重明 MATSUI, Jumei
  • 倉谷 泰孝 KURATANI, Yasutaka
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) BONDING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) STRUCTURE DE LIAISON, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 接合構造体およびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法
要約
(EN)
The present invention is a bonding structure which is used in a semiconductor device, and which is characterized by containing Cu particles, a compound that contains a noble metal, Cu and Su, a compound that contains a noble metal and Sn, and a compound that contains Sn and an organic component. In addition, a semiconductor device which comprises a semiconductor element and a substrate, and which is characterized in that the semiconductor element and the substrate are bonded with each other by means of this bonding structure. The present invention is able to provide: a bonding structure which has improved heat resistance and is not susceptible to decrease in the bonding strength even under heat cycles, thereby having excellent bonding reliability; a semiconductor device which uses this bonding structure; and a method for producing a semiconductor device.
(FR)
La présente invention est une structure de liaison qui est utilisée dans un dispositif à semi-conducteur, et qui est caractérisée en ce qu'elle contient des particules de Cu, un composé qui contient un métal noble, du Cu et Su, un composé qui contient un métal noble et du Sn, et un composé qui contient Sn et un composant organique. De plus, un dispositif à semi-conducteur qui comprend un élément semi-conducteur et un substrat, et qui est caractérisé en ce que l'élément semi-conducteur et le substrat sont liés l'un à l'autre au moyen de cette structure de liaison. La présente invention peut fournir : une structure de liaison qui présente une résistance à la chaleur améliorée et qui n'est pas susceptible de diminuer la force de liaison même dans des cycles thermiques, ce qui permet d'obtenir une excellente fiabilité de liaison ; un dispositif à semi-conducteur qui utilise cette structure de liaison ; et un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur.
(JA)
この発明は半導体装置に用いられる接合構造体であって、Cu粒子、貴金属とCuとSnとを有する化合物、貴金属とSnとを有する化合物、およびSnと有機成分とを有する化合物を含むことを特徴とする。また、半導体素子と基板とを有する半導体装置であって、 半導体素子と基板とは、この接合構造体で接合されていることを特徴とする。本発明によれば、耐熱性が向上するとともに、ヒートサイクル環境下でも接合強度が低下し難い、接合信頼性に優れた接合構造体およびこれを用いた半導体装置ならびに半導体装置の製造方法を提供することができる。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報