処理中

しばらくお待ちください...

設定

設定

出願の表示

1. WO2020194525 - 表示装置及びその製造方法

公開番号 WO/2020/194525
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/012938
国際出願日 26.03.2019
IPC
G09F 9/30 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
G09F 9/00 2006.01
G物理学
09教育;暗号方法;表示;広告;シール
F表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9情報が個々の要素の選択または組合せによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
H01L 27/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
H01L 51/50 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H05B 33/04 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
02細部
04封止装置
H05B 33/10 2006.01
H電気
05他に分類されない電気技術
B電気加熱;他に分類されない電気照明
33エレクトロルミネッセンス光源
10エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
出願人
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP]
発明者
  • 園田 通 SONODA Tohru
  • 越智 貴志 OCHI Takashi
  • 高橋 純平 TAKAHASHI Jumpei
代理人
  • 特許業務法人前田特許事務所 MAEDA & PARTNERS
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 表示装置及びその製造方法
要約
(EN)
According to the present invention, an island-like oxide semiconductor layer (12c) is provided in a non-display region (N) inside a display region. A first opening part (Ma) is provided in first inorganic insulating films (13, 15, 17) so as to expose the oxide semiconductor layer (12c) in the non-display region (N). A common function layer is provided ranging from the display region to the non-display region (N), and a second opening part (Mb) is provided, in the common function layer, so that a peripheral end thereof is enclosed by the peripheral end of the first opening part (Ma) as seen in a plan view, and the second opening part (Mb) exposes the oxide semiconductor layer (12c).
(FR)
Selon l’invention, une couche semi-conductrice d'oxyde de type îlot (12c) est disposée dans une zone de non-affichage (N) à l'intérieur d'une zone d'affichage. Une première partie d'ouverture (Ma) est disposée dans des premiers films isolants inorganiques (13, 15, 17) de manière à exposer la couche semi-conductrice d'oxyde (12c) dans la zone de non-affichage (N). Une couche de fonction commune est disposée de la zone d'affichage à la zone de non-affichage (N), et une seconde partie d'ouverture (Mb) est disposée dans la couche de fonction commune de façon à ce qu'une extrémité périphérique de celle-ci soit entourée par l'extrémité périphérique de la première partie d'ouverture (Ma) comme dans une vue en plan, et la seconde partie d'ouverture (Mb) expose la couche semi-conductrice d'oxyde (12c).
(JA)
表示領域の内部の非表示領域(N)には、酸化物半導体層(12c)が島状に設けられ、第1無機絶縁膜(13、15、17)には、非表示領域(N)において、酸化物半導体層(12c)を露出させるように第1開口部(Ma)が設けられ、共通機能層は、表示領域から非表示領域(N)にわたるように設けられ、共通機能層には、周端が平面視で第1開口部(Ma)の周端に囲まれると共に、酸化物半導体層(12c)を露出させるように第2開口部(Mb)が設けられている。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報