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1. WO2020194434 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

公開番号 WO/2020/194434
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/012443
国際出願日 25.03.2019
IPC
H01L 21/31 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30H01L21/20~H01L21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
出願人
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 中谷 一夫 NAKAYA Kazuo
代理人
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR, ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
要約
(EN)
Provided is a technology configured such that a pressure controller: fully opens a first pressure adjustment valve disposed in a bypass line and reduces the pressure in a processing chamber wherein a substrate is processed from atmospheric pressure to a second prescribed pressure; adjusts the degree of opening of the first pressure adjustment valve and maintains the second prescribed pressure; fully opens the first pressure adjustment valve and reduces the pressure in the processing chamber to a first prescribed pressure which is lower than the second prescribed pressure; at the time at which the first prescribed pressure is reached, detects the pressure in the processing chamber in a state of at least the first pressure adjustment valve and a second pressure adjustment valve disposed in an exhaust line being closed for a first prescribed time; fully opens the second pressure adjustment valve and reduces the pressure in the processing chamber to a third prescribed pressure; and adjusts the degree of opening of the second pressure adjustment valve and maintains a processing pressure at which the substrate is processed.
(FR)
L'invention porte sur une technologie configurée de telle sorte qu'un contrôleur de pression effectue les opérations suivantes : ouvre complètement une première vanne de réglage de la pression disposée dans une conduite de dérivation et réduit la pression dans une chambre de traitement dans laquelle un substrat est traité de la pression atmosphérique à une deuxième pression prescrite ; ajuste le degré d'ouverture de la première vanne de réglage de la pression et maintient la deuxième pression prescrite ; ouvre complètement la première vanne de réglage de la pression et réduit la pression dans la chambre de traitement à une première pression prescrite qui est inférieure à la deuxième pression prescrite ; au moment où la première pression prescrite est atteinte, détecte la pression dans la chambre de traitement dans un état où au moins la première vanne de réglage de la pression et une seconde vanne de réglage de la pression disposée dans une conduite d'échappement sont fermées pendant un premier temps prescrit ; ouvre complètement la seconde vanne de réglage de la pression et réduit la pression dans la chambre de traitement à une troisième pression prescrite ; et ajuste le degré d'ouverture de la seconde vanne de réglage de la pression et maintient une pression de traitement à laquelle le substrat est traité.
(JA)
圧力制御コントローラは、バイパスラインに設けられた第1の圧力調整弁を全開にして、基板を処理する処理室の圧力を大気圧から第2所定圧力まで減圧させ、第1の圧力調整弁の開度を調整して、第2所定圧力を維持させ、第1の圧力調整弁を全開にして、処理室の圧力を第2所定圧力よりも更に低い第1所定圧力まで減圧させ、第1所定圧力に到達した時点で第1所定時間少なくとも第1の圧力調整弁及び排気ラインに設けられた第2の圧力調整弁を閉じた状態で、処理室の圧力を検出し、第2の圧力調整弁を全開にして、処理室の圧力を第3所定圧力まで減圧させ、第2の圧力調整弁の開度を調整して、基板を処理する処理圧力に維持させるように構成されている技術が提供される。
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