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1. WO2020194433 - 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

公開番号 WO/2020/194433
公開日 01.10.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/012442
国際出願日 25.03.2019
IPC
H01L 21/205 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C23C 16/455 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
16ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44被覆の方法に特徴のあるもの
455ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
出願人
  • 株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 野々村 一樹 NONOMURA Kazuki
  • 竹林 雄二 TAKEBAYASHI Yuji
代理人
  • ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND PROGRAM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROGRAMME
(JA) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
要約
(EN)
Provided is a technology comprising: a step of loading and housing a plurality of substrates within a processing chamber; a step of supplying a raw material gas to the plurality of substrates from a first nozzle which is disposed within the processing chamber along the substrate loading direction of the plurality of substrates and whereby the flow of a gas supplied from higher up in the substrate loading direction is greater than the flow of the gas supplied from lower down in the substrate loading direction, and a second nozzle which is disposed within the processing chamber along the substrate loading direction and whereby the flow of the gas supplied from lower down in the substrate loading direction is greater than the flow of the gas supplied from higher up in the substrate loading direction; and a step of supplying a reactant gas to the plurality of substrates.
(FR)
La présente invention concerne une technologie comprenant : une étape de chargement et de logement d'une pluralité de substrats à l'intérieur d'une chambre de traitement ; une étape consistant à fournir un gaz de matière première à la pluralité de substrats à partir d'une première buse disposée à l'intérieur de la chambre de traitement le long de la direction de chargement de substrat de la pluralité de substrats, le flux de gaz fourni depuis un point situé plus haut dans la direction de chargement de substrat étant supérieur au flux de gaz fourni plus bas dans la direction de chargement de substrat et à partir d'une seconde buse disposée à l'intérieur de la chambre de traitement le long de la direction de chargement de substrat, le flux de gaz fourni depuis un point situé plus bas dans la direction de chargement de substrat étant supérieur au flux de gaz fourni plus haut dans la direction de chargement de substrat ; et une étape consistant à fournir un gaz réactif à la pluralité de substrats.
(JA)
処理室内に複数の基板を積載して収容する工程と、処理室内に複数の基板の基板積載方向に沿って設けられ、基板積載方向の下部から供給するガスの流量よりも上部から供給するガスの流量が多い第1のノズルと、処理室内に基板積載方向に沿って設けられ、基板積載方向の上部から供給するガスの流量よりも下部から供給するガスの流量が多い第2のノズルとから、複数の基板に対して原料ガスを供給する工程と、複数の基板に対して反応ガスを供給する工程と、を有する技術が提供される。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報