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1. WO2020189481 - 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス

公開番号 WO/2020/189481
公開日 24.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/010733
国際出願日 12.03.2020
IPC
C08G 73/10 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
73グループC08G12/00~C08G71/00に属さない,高分子の主鎖に酸素または炭素を有しまたは有せずに窒素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
06高分子の主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
10ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
C08G 73/12 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
73グループC08G12/00~C08G71/00に属さない,高分子の主鎖に酸素または炭素を有しまたは有せずに窒素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
06高分子の主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
10ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
12不飽和ポリイミド前駆物資
G03F 7/027 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
027炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
G03F 7/037 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
027炭素-炭素二重結合を有する非高分子光重合性化合物,例.エチレン化合物
032結合剤をもつもの
037結合剤がポリアミド又はポリイミドであるもの
G03F 7/20 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20露光;そのための装置
G03F 7/40 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26感光材料の処理;そのための装置
40画像様除去後の処理,例.加熱
出願人
  • 富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 小川 倫弘 OGAWA Michihiro
  • 山口 修平 YAMAGUCHI Shuhei
  • 岩井 悠 IWAI Yu
代理人
  • 特許業務法人特許事務所サイクス SIKs & Co.
優先権情報
2019-05143619.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) CURABLE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, MULTILAYER BODY, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE DURCISSABLE, FILM DURCI, CORPS MULTICOUCHE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM DURCI ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス
要約
(EN)
A curable resin composition that contains a polyimide precursor which has at least one branched structure that is selected from the group consisting of branched structures represented by formula (A-1) and branched structures represented by formula (A-2), and which has a branched chain having a repeating unit as a branched chain that is bonded to the branched structure; a cured film which is obtained by curing the above-described curable resin composition; a multilayer body which comprises the above-described cured film; a method for producing the above-described cured film; and a semiconductor device which comprises the above-described cured film or the above-described multilayer body. In formula (A-1) and formula (A-2), R115 represents a tetravalent organic group; RA21 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group; and each * independently represents a binding site to another structure.
(FR)
L'invention concerne une composition de résine durcissable qui contient un précurseur de polyimide qui possède au moins une structure ramifiée qui est choisie dans le groupe constitué des structures ramifiées représentées par la formule (A-1) et des structures ramifiées représentées par la formule (A-2), et qui possède une chaîne ramifiée comportant un motif répété en tant que chaîne ramifiée qui est liée à la structure ramifiée ; un film durci qui est obtenu par durcissement de la composition de résine durcissable décrite ci-dessus ; un corps multicouche qui comprend le film durci décrit ci-dessus ; un procédé de production du film durci décrit ci-dessus ; et un dispositif à semi-conducteur qui comprend le film durci décrit ci-dessus ou le corps multicouche décrit ci-dessus. Dans la formule (A-1) et la formule (A-2), R115 représente un groupe organique tétravalent ; RA21 représente un atome d'hydrogène ou un groupe organique monovalent ; et chaque * représente indépendamment un site de liaison à une autre structure.
(JA)
下記式(A-1)で表される分岐型構造、及び、下記式(A-2)により表される分岐型構造よりなる群から選ばれた少なくとも1種の分岐型構造を有し、かつ、上記分岐型構造に結合する分岐鎖として、繰返し単位を有する分岐鎖を有するポリイミド前駆体を含む硬化性樹脂組成物、上記硬化性樹脂組成物を硬化してなる硬化膜、上記硬化膜を含む積層体、上記硬化膜の製造方法、及び、上記硬化膜又は上記積層体を含む半導体デバイス;式(A-1)又は式(A-2)中、R115は4価の有機基を表し、RA21は水素原子又は1価の有機基を表し、*はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
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