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1. WO2020189229 - 透明電極付き基板の製造方法

公開番号 WO/2020/189229
公開日 24.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/008488
国際出願日 28.02.2020
IPC
B32B 9/00 2006.01
B処理操作;運輸
32積層体
B積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
9本質的にグループB32B11/00~B32B29/00に包含されない特殊な物質からなる積層体
H01B 13/00 2006.01
H電気
01基本的電気素子
Bケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13導体またはケーブルの製造に特に適合した装置または方法
C23C 14/08 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06被覆材料に特徴のあるもの
08酸化物
C23C 14/34 2006.01
C化学;冶金
23金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法または化学蒸着による被覆一般
14被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22被覆の方法に特徴のあるもの
34スパッタリング
出願人
  • 株式会社カネカ KANEKA CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 口山 崇 KUCHIYAMA Takashi
代理人
  • 新山 雄一 NIIYAMA Yuichi
  • 加藤 竜太 KATO Ryuta
優先権情報
2019-05337320.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE WITH TRANSPARENT ELECTRODE ATTACHED THEREON
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SUR LEQUEL SONT FIXÉES DES ÉLECTRODES TRANSPARENTES
(JA) 透明電極付き基板の製造方法
要約
(EN)
Provided is a method for manufacturing a substrate with a transparent electrode attached thereon in which a transparent oxide layer as a transparent electrode layer having a low resistivity can be formed on a film base. The method comprises: a transparent base oxide layer forming step for forming a transparent base oxide layer by using a sputtering method at a film formation pressure Pu and an oxygen partial pressure Pou during film formation; and a transparent conductive oxide layer forming step for forming a transparent conductive oxide layer on the transparent base oxide layer by using a sputtering method at a film formation pressure Pc and an oxygen partial pressure Poc during film formation, wherein, in the conditions in which Pu, Pc, Pou, and Poc satisfy a predetermined equation, the transparent base oxide layer and the transparent conductive oxide layer are formed, and the transparent oxide layer including the transparent base oxide layer and the transparent conductive oxide layer is formed on the film base.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat sur lequel est fixée une électrode transparente dans laquelle une couche d'oxyde transparente en tant que couche d'électrode transparente présentant une faible résistivité peut être formée sur une base de film. Le procédé comprend : une étape de formation de couche d'oxyde de base transparente destinée à former une couche d'oxyde de base transparente au moyen d'un procédé de pulvérisation cathodique à une pression de formation de film Pu et une pression partielle d'oxygène Pou pendant une formation de film ; et une étape de formation de couche d'oxyde conducteur transparente destinée à former une couche d'oxyde conducteur transparente sur la couche d'oxyde de base transparente au moyen d'un procédé de pulvérisation cathodique à une pression de formation de film Pc et une pression partielle d'oxygène Poc pendant une formation de film, dans les conditions dans lesquelles Pu, Pc, Pou et Poc satisfont une équation prédéterminée, la couche d'oxyde de base transparente et la couche d'oxyde conducteur transparente étant formées, et la couche d'oxyde transparente comprenant la couche d'oxyde de base transparente et la couche d'oxyde conducteur transparente étant formée sur la base de film.
(JA)
フィルム基材上に低抵抗率の透明電極層としての透明酸化物層を形成できる透明電極付き基板の製造方法を提供する。 透明下地酸化物層を、成膜圧力Pu、成膜時の酸素分圧Pouにてスパッタリング法により形成する、透明下地酸化物層形成工程と、透明下地酸化物層上に、透明導電性酸化物層を、成膜圧力Pc、成膜時の酸素分圧Pocにてスパッタリング法により形成する、透明導電性酸化物層形成工程とを備える方法において、Pu、Pc、Pou、およびPocが所定の式を満たす条件で、透明下地酸化物層と透明導電性酸化物層とを製膜し、透明下地酸化物層と透明導電性酸化物層とを含む透明酸化物層をフィルム基材上に形成する。
国際事務局に記録されている最新の書誌情報