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1. WO2020189065 - 半導体装置

公開番号 WO/2020/189065
公開日 24.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/004299
国際出願日 05.02.2020
IPC
H01L 23/29 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
28封緘,例.封緘層,被覆
29材料に特徴のあるもの
H01L 23/48 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23半導体または他の固体装置の細部
48動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H01L 25/07 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03すべての装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04個別の容器を持たない装置
07装置がグループH01L29/00に分類された型からなるもの
H01L 25/18 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18装置がグループH01L27/00~H01L51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人
  • 株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 西畑 雅由 NISHIHATA Masayoshi
  • 吉川 正太 YOSHIKAWA Shota
代理人
  • 金 順姫 JIN Shunji
優先権情報
2019-05142719.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約
(EN)
The present invention provides a semiconductor device, equipped with: a negative electrode metal plate (40) disposed so as to face both a first semiconductor element (11) and a second semiconductor element (12); a positive electrode metal plate (30) disposed so as to face the negative electrode metal plate so that the first semiconductor element is disposed between the positive electrode metal plate and the negative electrode metal plate; and an output metal plate (70) disposed so as to face the negative electrode metal plate so that the second semiconductor element is disposed between the output metal plate and the negative electrode metal plate. Regarding the second semiconductor element, a collector electrode is electrically connected to the output metal plate, and an emitter electrode is electrically connected to the negative electrode metal plate. Regarding the first semiconductor element, a collector electrode is electrically connected to the positive electrode metal plate, an emitter electrode is electrically connected to the output metal plate, and the first semiconductor element is thermally connected to the negative electrode metal plate by a second insulated substrate (61) in an electrically insulated state.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur comportant : une plaque métallique d'électrode négative (40) disposée de manière à faire face à la fois à un premier élément semi-conducteur (11) et à un second élément semi-conducteur (12) ; une plaque métallique d'électrode positive (30) disposée de manière à faire face à la plaque métallique d'électrode négative de telle sorte que le premier élément semi-conducteur est disposé entre la plaque métallique d'électrode positive et la plaque métallique d'électrode négative ; et une plaque métallique de sortie (70) disposée de manière à faire face à la plaque métallique d'électrode négative de telle sorte que le second élément semi-conducteur est disposé entre la plaque métallique de sortie et la plaque métallique d'électrode négative. Concernant le second élément semi-conducteur, une électrode collectrice est électriquement connectée à la plaque métallique de sortie, et une électrode d'émetteur est électriquement connectée à la plaque métallique d'électrode négative. Concernant le premier élément semi-conducteur, une électrode collectrice est électriquement connectée à la plaque métallique d'électrode positive, une électrode d'émetteur est électriquement connectée à la plaque métallique de sortie, et le premier élément semi-conducteur est thermiquement connecté à la plaque métallique d'électrode négative au moyen d'un second substrat isolé (61) dans un état électriquement isolé.
(JA)
半導体装置は、第1半導体素子(11)と第2半導体素子(12)の両方に対向配置された負極金属板(40)と、負極金属板との間に第1半導体素子が配置された状態で負極金属板と対向配置された正極金属板(30)と、負極金属板との間に第2半導体素子が配置された状態で負極金属板と対向配置された出力金属板(70)とを備えている。第2半導体素子は、コレクタ電極が出力金属板と電気的に接続され、エミッタ電極が負極金属板と電気的に接続されている。第1半導体素子は、コレクタ電極が正極金属板と電気的に接続され、エミッタ電極が出力金属板と電気的に接続されるとともに、第2絶縁基板(61)によって負極金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続されている。
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