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1. WO2020188959 - 検出装置

公開番号 WO/2020/188959
公開日 24.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/000352
国際出願日 08.01.2020
IPC
H01L 27/146 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144輻射線によって制御される装置
146固体撮像装置構造
H01L 21/336 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02半導体装置またはその部品の製造または処理
04少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335電界効果トランジスタ
336絶縁ゲートを有するもの
H01L 27/30 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
271つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
30赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射への感応に特に適用される構成部品を有するもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用される構成部品を有するもの
H01L 29/786 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部
66半導体装置の型
68整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76ユニポーラ装置
772電界効果トランジスタ
78絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786薄膜トランジスタ
H01L 51/42 2006.01
H電気
01基本的電気素子
L半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
42赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応に特に適用されるもの;輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するか,またはこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
出願人
  • 株式会社ジャパンディスプレイ JAPAN DISPLAY INC. [JP]/[JP]
発明者
  • 川田 靖 KAWATA, Yasushi
代理人
  • 特許業務法人酒井国際特許事務所 SAKAI INTERNATIONAL PATENT OFFICE
優先権情報
2019-05256420.03.2019JP
2019-16878117.09.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) DETECTION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION
(JA) 検出装置
要約
(EN)
This detection device includes a substrate, a plurality of detection electrodes that are arranged in a detection region of the substrate, an organic semiconductor layer that covers the plurality of detection electrodes, and a counter electrode that is provided on the organic semiconductor layer. The organic semiconductor layer includes at least one of a first p-type semiconductor layer and a first n-type semiconductor layer, and active layers. The active layers are respectively provided for superposed regions that are respectively superposed with the plurality of detection electrodes, and have a structure in which a p-type semiconductor region and an n-type semiconductor region are mixed. The first p-type semiconductor layer or the first n-type semiconductor layer is provided in a non-superposed region that is not superposed with the detection electrodes between adjacent active layers.
(FR)
L'invention concerne un dispositif de détection comprenant un substrat, une pluralité d'électrodes de détection qui sont agencées dans une région de détection du substrat, une couche semi-conductrice organique qui recouvre la pluralité d'électrodes de détection, et une contre-électrode qui est disposée sur la couche semi-conductrice organique. La couche semi-conductrice organique comprend au moins l'une d'une première couche semi-conductrice de type p et d'une première couche semi-conductrice de type n, et de couches actives. Les couches actives sont respectivement prévues pour des régions superposées qui sont respectivement superposées avec la pluralité d'électrodes de détection, et ont une structure dans laquelle une région semi-conductrice de type p et une région semi-conductrice de type n sont mélangées. La première couche semi-conductrice de type p ou la première couche semi-conductrice de type n est disposée dans une région non superposée qui n'est pas superposée aux électrodes de détection entre des couches actives adjacentes.
(JA)
検出装置は、基板と、基板の検出領域に配列された複数の検出電極と、複数の検出電極を覆う有機半導体層と、有機半導体層の上に設けられた対向電極と、を有し、有機半導体層は、第1のp型半導体層及び第1のn型半導体層の少なくとも一方と、活性層と、を含み、活性層は、複数の検出電極のそれぞれと重畳する重畳領域ごとに設けられ、p型半導体領域とn型半導体領域とが混在する構造を有し、第1のp型半導体層又は第1のn型半導体層は、検出電極と重畳しない非重畳領域に設けられ、隣り合う活性層の間に設けられる。
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