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1. WO2020188695 - 半導体レーザ装置製造方法

公開番号 WO/2020/188695
公開日 24.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2019/011157
国際出願日 18.03.2019
IPC
H01S 5/02 2006.01
H電気
01基本的電気素子
S光を増幅または生成するために,放射の誘導放出による光増幅を用いた装置;光領域以外の電磁放射の誘導放出を用いた装置
5半導体レーザ
02レーザ作用にとって本質的ではない構造的な細部または構成
出願人
  • 三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • 阿部 真司 ABE Shinji
代理人
  • 大岩 増雄 OIWA Masuo
  • 村上 啓吾 MURAKAMI Keigo
  • 竹中 岑生 TAKENAKA Mineo
  • 吉澤 憲治 YOSHIZAWA Kenji
優先権情報
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体レーザ装置製造方法
要約
(EN)
This semiconductor laser device manufacturing method comprises: a material preparing step for forming a metal layer (23) on a surface of a bar-shaped submount bar body (22) opposing a semiconductor laser bar (3) on which a front side electrode (15a) and a back side electrode (15b) are formed, to prepare a submount bar (21) mounting the semiconductor laser bar (3); a jig installing step for installing a plurality of the submount bars (21) and the semiconductor laser bar (3) alternately overlapping each other on an installing jig (40); a joining step for joining the metal layer (23) and the back side electrode (15b) by increasing the temperature of the installing jig (40); and a protection film forming step for, after the joining step, forming a protection film (19) on a cleaved end face (14) of the semiconductor laser bar (3) using the install jig (40) with the plurality of submount bars (21) and the semiconductor laser bar (3) installed thereon with a protection film forming device (60).
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de dispositif laser à semi-conducteur comprenant : une étape de préparation de matériau pour former une couche métallique (23) sur une surface d'un corps de barre d'embase en forme de barre (22) opposée à une barre laser à semi-conducteur (3) sur laquelle une électrode côté avant (15a) et une électrode côté arrière (15b) sont formées, pour préparer une barre d'embase (21) portant la barre de laser à semi-conducteur (3) ; une étape d'installation de gabarit pour installer une pluralité des barres d'embase (21) et la barre de laser à semi-conducteur (3) se chevauchant en alternance sur un gabarit d'installation (40) ; une étape d'assemblage de la couche métallique (23) et l'électrode côté arrière (15b) en augmentant la température du gabarit d'installation (40) ; et une étape de formation de film de protection pour, après l'étape d'assemblage, former un film de protection (19) sur une face d'extrémité clivée (14) de la barre laser à semi-conducteur (3) à l'aide du gabarit d'installation (40) avec la pluralité de barres d'embase (21) et la barre laser à semi-conducteur (3) installée sur celle-ci avec un dispositif de formation de film de protection (60).
(JA)
半導体レーザ装置製造方法は、表面電極(15a)及び裏面電極(15b)が形成された半導体レーザバー(3)と対向するバー形状のサブマウントバー本体(22)の表面に金属層(23)を形成して、半導体レーザバー(3)が搭載されるサブマウントバー(21)を準備する材料準備工程と、設置治具(40)に複数のサブマウントバー(21)及び半導体レーザバー(3)を交互に重ねて設置する治具設置工程と、設置治具(40)を昇温して、金属層(23)と裏面電極(15b)とを接合する接合工程と、接合工程の後に、複数のサブマウントバー(21)及び半導体レーザバー(3)が設置された設置治具(40)を保護膜形成装置(60)にて、半導体レーザバー(3)のへき開端面(14)に保護膜(19)を形成する保護膜形成工程と、を含んでいる。
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