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1. WO2020184642 - レジスト下層膜形成組成物

公開番号 WO/2020/184642
公開日 17.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/010686
国際出願日 12.03.2020
IPC
C07C 43/23 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
C非環式化合物または炭素環式化合物
43エーテル;「図」基,「図」基または「図」基をもつ化合物
02エーテル
20エーテル基の酸素原子が6員芳香環の炭素原子に結合しているもの
23水酸基またはO―金属基を含有するもの
C07C 69/767 2006.01
C化学;冶金
07有機化学
C非環式化合物または炭素環式化合物
69カルボン酸のエステル;炭酸またはハロぎ酸のエステル
76エステル化されているカルボキシル基が6員芳香環の炭素原子に結合しているカルボン酸のエステル
767エステル化されている水酸基が非環式炭素原子に結合している不飽和アルコールでエステル化されているもの
C08G 8/20 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
8アルデヒドまたはケトンのフェノールのみとの重縮合体
04アルデヒドの
08ホルムアルデヒドの,例.その場で形成されたホルムアルデヒドの
20多価フェノールとの
C08G 59/04 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
591分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する重縮合物;エポキシ重縮合物と単官能性低分子量化合物との反応によって得られる高分子化合物;エポキシ基と反応する硬化剤または触媒を用いて1分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する化合物を重合することにより得られる高分子化合物
021分子中に1個より多くのエポキシ基を含有する重縮合物
04ポリヒドロキシ化合物のエピハロヒドリンまたはその前駆物質との
C08L 101/00 2006.01
C化学;冶金
08有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L高分子化合物の組成物
101不特定の高分子化合物の組成物
G03F 7/11 2006.01
G物理学
03写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
Fフォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004感光材料
09構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
CPC
C07C 43/23
CCHEMISTRY; METALLURGY
07ORGANIC CHEMISTRY
CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
43Ethers; Compounds having groups, groups or groups
02Ethers
20having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
23containing hydroxy or O-metal groups
C08G 59/04
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
59Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
02Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule
04of polyhydroxy compounds with epihalohydrins or precursors thereof
C08G 8/20
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
8Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
04of aldehydes
08of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
20with polyhydric phenols
C08L 101/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
101Compositions of unspecified macromolecular compounds
G03F 7/11
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
004Photosensitive materials
09characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
11having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
G03F 7/20
GPHYSICS
03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR;
7Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
20Exposure; Apparatus therefor
出願人
  • 日産化学株式会社 NISSAN CHEMICAL CORPORATION [JP]/[JP]
発明者
  • ▲徳▼永 光 TOKUNAGA Hikaru
  • 緒方 裕斗 OGATA Hiroto
  • 広原 知忠 HIROHARA Tomotada
  • 中島 誠 NAKAJIMA Makoto
代理人
  • 特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES
  • 山村 大介 YAMAMURA Daisuke
優先権情報
2019-04593913.03.2019JP
2019-12981412.07.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM
(FR) COMPOSITION PERMETTANT DE FORMER UN FILM DE SOUS-COUCHE DE RÉSINE
(JA) レジスト下層膜形成組成物
要約
(EN)
Provided is a composition for forming a resist underlayer film that is insoluble in resist solvents, has favorable optical constants, and has a high etching rate. The composition has excellent ability to fill and flatten stepped substrates. A composition for forming a resist underlayer film, the composition including: (A) a cross-linking compound that is represented by formula (I); and (D) a solvent. [In formula (I), m is an integer from 1 to 30, T is a single bond, a saturated hydrocarbon group, an aromatic group, or an unsaturated cyclic hydrocarbon group, G1, G2, G3, G4, G5, and G6 are each independently (i) or (ii), the n's are each independently an integer from 1 to 8, the n R's are each independently a hydrogen atom, an aliphatic hydrocarbon group, or an alicyclic hydrocarbon group, the A's are each independently an aryl group that may be interrupted by an alkylene group, and Z1, Z2, Z3, Z4, Z5, and Z6 are each independently an alkyl group, an aryl group, a hydroxy group, an epoxy group, or a hydrogen atom.]
(FR)
L'invention concerne une composition permettant de former un film de sous-couche de résine qui est insoluble dans des solvants de résine, a des constantes optiques appropriées, et qui a une vitesse de gravure élevée. La composition présente une excellente capacité à remplir et à aplatir des substrats étagés. L'invention concerne également une composition permettant de former un film de sous-couche de résine, la composition comprenant : (A) un composé de réticulation représenté par la formule (I) ; et (D) un solvant. [Dans la formule (I), m est un nombre entier de 1 à 30, T est une liaison simple, un groupe hydrocarboné saturé, un groupe aromatique ou un groupe hydrocarboné cyclique insaturé, G1, G2, G3, G4, G5 et G6 sont chacun indépendamment (i) ou (ii), les n sont chacun indépendamment un nombre entier de 1 à 8, les n R sont chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe hydrocarboné aliphatique, ou un groupe hydrocarboné alicyclique, les A sont chacun indépendamment un groupe aryle qui peut être interrompu par un groupe alkylène, et Z1, Z2, Z3, Z4, Z5 et Z6 représentent chacun indépendamment un groupe alkyle, un groupe aryle, un groupe hydroxy, un groupe époxy, ou un atome d'hydrogène.]
(JA)
レジスト溶剤に不溶であり、光学定数が良好で、エッチングレートの高いレジスト下層膜を形成するための組成物であって、段差基板に対する埋め込み性及び平坦化性に優れる組成物の提供。 (A) 下記式(I)で表される架橋性化合物、及び (D) 溶剤 を含むレジスト下層膜形成組成物。 [式(I)中、mは1~30の整数であり、 Tは単結合、飽和炭化水素基、芳香族基、又は不飽和環状炭化水素基であり、 G、G、G、G、G、及びGはそれぞれ独立に(i)又は(ii) であり、 nはそれぞれ独立に1~8の整数であり、 n個のRはそれぞれ独立に水素原子、脂肪族炭化水素基、又は脂環式炭化水素基であり、Aはそれぞれ独立にアルキレン基によって中断されていてもよいアリール基であり、 Z、Z、Z、Z、Z、Zはそれぞれ独立に、アルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、エポキシ基又は水素原子を表す。]
国際事務局に記録されている最新の書誌情報