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1. WO2020184624 - 弾性波装置

公開番号 WO/2020/184624
公開日 17.09.2020
国際出願番号 PCT/JP2020/010604
国際出願日 11.03.2020
IPC
H03H 9/25 2006.01
H電気
03基本電子回路
Hインビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
CPC
H03H 9/25
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
9Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
25Constructional features of resonators using surface acoustic waves
出願人
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP]
発明者
  • 大門 克也 DAIMON, Katsuya
代理人
  • 特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI
優先権情報
2019-04413211.03.2019JP
公開言語 (言語コード) 日本語 (JA)
出願言語 (言語コード) 日本語 (JA)
指定国 (国コード)
発明の名称
(EN) ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波装置
要約
(EN)
Provided is an acoustic wave device which makes it possible to further lessen the influence of a higher-order mode. An acoustic wave device 1 is provided with: a support substrate 2; a high sound speed film 3 disposed on the support substrate 2; a first low sound speed film 4 disposed on the high sound speed film 3; a second low sound speed film 5 disposed on the first low sound speed film 4; a piezoelectric layer 6 disposed on the second low sound speed film 5; and an IDT electrode 7 disposed on the piezoelectric layer 6. The sound speed of bulk waves propagating in the high sound speed film 3 is higher than the sound speed of acoustic waves propagating in the piezoelectric layer 6. The sound speed of bulk waves propagating in the first low sound speed film 4 is lower than the sound speed of bulk waves propagating in the piezoelectric layer 6. The sound speed of bulk waves propagating in the second low sound speed film 5 is lower than the sound speed of bulk waves propagating in the first low sound speed film 4.
(FR)
L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques qui permet de réduire davantage l'influence d'un mode d'ordre supérieur. Un dispositif à ondes acoustiques 1 comprend : un substrat de support 2 ; un film à vitesse de son élevée 3 disposé sur le substrat de support 2 ; un premier film à faible vitesse de son 4 disposé sur le film à vitesse de son élevée 3 ; un second film à faible vitesse de son 5 disposé sur le premier film à faible vitesse de son 4 ; une couche piézoélectrique 6 disposée sur le second film à faible vitesse de son 5 ; et une électrode IDT 7 disposée sur la couche piézoélectrique 6. La vitesse du son des ondes de volume se propageant dans le film à vitesse de son élevée 3 est supérieure à la vitesse du son des ondes acoustiques se propageant dans la couche piézoélectrique 6. La vitesse du son des ondes de volume se propageant dans le premier film à faible vitesse de son 4 est inférieure à la vitesse du son des ondes de volume se propageant dans la couche piézoélectrique 6. La vitesse du son des ondes de volume se propageant dans le second film à faible vitesse de son 5 est inférieure à la vitesse du son des ondes de volume se propageant dans le premier film à faible vitesse de son 4.
(JA)
高次モードの影響をより一層小さくすることができる、弾性波装置を提供する。 支持基板2と、支持基板2上に設けられている高音速膜3と、高音速膜3上に設けられている第1の低音速膜4と、第1の低音速膜4上に設けられている第2の低音速膜5と、第2の低音速膜5上に設けられている圧電体層6と、圧電体層6上に設けられているIDT電極7とを備え、高音速膜3を伝搬するバルク波の音速が、圧電体層6を伝搬する弾性波の音速よりも高く、第1の低音速膜4を伝搬するバルク波の音速が、圧電体層6を伝搬するバルク波の音速よりも低く、第2の低音速膜5を伝搬するバルク波の音速が、第1の低音速膜4を伝搬するバルク波の音速よりも低い、弾性波装置1。
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